[發明專利]太陽能電池組件及其制造方法有效
| 申請號: | 201280068424.0 | 申請日: | 2012-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104106144A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 曹豪健 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池組件,包括:
支撐基板;以及
所述支撐基板上的多個太陽能電池,
其中,所述太陽能電池的每一個包括:
所述支撐基板上的背電極層;
所述背電極層上的光吸收層;
所述光吸收層上的緩沖層;
所述緩沖層上的導電層;以及
所述導電層上的前電極層。
2.如權利要求1所述的太陽能電池組件,其中,所述導電層包括在所述太陽能電池中沿著與電荷傳輸方向平行的第一方向延伸的多根導線。
3.如權利要求2所述的太陽能電池組件,其中,所述導線包括銀(Ag)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銦(In)、以及鎢(W)中的至少一種。
4.如權利要求2所述的太陽能電池組件,其中,所述太陽能電池分別沿著垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
5.如權利要求2所述的太陽能電池組件,其中,所述導線的每根導線具有在1nm到30nm范圍內的寬度和在50nm到100nm范圍內的厚度。
6.如權利要求2所述的太陽能電池組件,其中,所述導線相互隔開。
7.如權利要求1所述的太陽能電池組件,進一步包括形成為穿過所述導電層、所述緩沖層、所述光吸收層以部分地露出所述背電極層的分隔圖案。
8.如權利要求7所述的太陽能電池組件,其中,所述前電極層通過所述分隔圖案與所述背電極層電連接。
9.一種太陽能電池組件的制造方法,所述方法包括:
在支撐基板上形成背電極層;
在所述背電極層上形成光吸收層;
在所述光吸收層上形成緩沖層;
在所述緩沖層上形成導電層;以及
在所述導電層上形成前電極層。
10.如權利要求9所述的方法,進一步包括通過圖案化所述前電極層、所述導電層、所述緩沖層以及所述光吸收層,形成多個太陽能電池。
11.如權利要求10所述的方法,其中,所述導電層包括在所述太陽能電池中沿著平行于電荷傳輸方向的第一方向延伸的多根導線。
12.如權利要求11所述的方法,其中,所述導線包括銀(Ag)、鋁(Al)、鈣(Ca)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銦(In)、以及鎢(W)中的至少一種。
13.如權利要求11所述的方法,所述導線的每根導線具有在1nm到30nm范圍內的寬度和在50nm到100nm范圍內的厚度。
14.如權利要求11所述的方法,其中,所述導線相互隔開。
15.如權利要求9所述的方法,其中,所述前電極層的形成包括:
形成穿過所述導電層、所述緩沖層以及所述光吸收層以露出所述背電極一部分的分隔圖案;以及
形成所述前電極層通過所述分隔圖案與所述背電極層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





