[發明專利]磁測量裝置

有效

• 申請號: 201280068265.4
• 申請日: 2012-12-13
• 公開（公告）號: CN104081218A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 鈴木健一;近松努;小川昭雄;崔京九;橋本龍司
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: G01R33/12
• 分類號: G01R33/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

技術領域

本發明涉及用于經由泄漏磁通的測量來測量磁性體試樣的磁特性特別是矯頑力的磁場測量裝置。

背景技術

近年來，出于節省能量的觀點，在混合動力汽車(HEV)或家電產品中所使用的各種電機所用的永久磁體中，要求高性能的磁體。特別是為了應對高溫下的使用環境，要求在耐熱性上優異且具有高矯頑力。作為具有高的矯頑力的高性能永久磁體，已知的有在Nd-Fe-B系磁體中添加了Dy或Tb的永久磁體，但是Dy或Tb的使用出于節省資源的觀點并不優選。

因此，為了極力抑制上述Dy或Tb的使用量，提出了提高僅大的退磁場所作用的部分的矯頑力的所謂矯頑力在磁性體內分布的結構的磁體的方案(專利文獻1)。

為了這樣地評價矯頑力在磁性體內分布的試樣，要求可以測量亞毫米以下微小區域中的矯頑力的測量裝置。

以往，在磁性體試樣的磁特性測量中，使用B-H曲線示蹤器(B-H?curve?tracer)或振動樣品磁強計(VSM：Vibrating?Sample?Magneto-meter)。然而，在這些測量裝置中，只不過是測量成為測量對象的磁性體的平均的磁特性，并不能測量磁特性的分布即微小區域的磁特性。

通過由切割加工等來分割成為測量對象的磁性體并用VSM等來進行測定從而測量微小區域的磁特性的方法也得到考慮。然而，由于加工所引起的對磁性體表面層的損傷而造成不能測量磁性體試樣的本質性的磁特性的情形仍被擔憂。

為了不伴著磁性體試樣的加工來測量磁性體試樣的微小區域的磁特性，使用了磁力顯微鏡(MFM：Magnetic?Force?Microscopy)。

為了使用MFM來測量試樣的微小區域中的矯頑力，有必要在磁場中測量磁性體試樣。但是，由于在高磁場中測量頭受到磁場的影響，因此不能夠進行測量，難以評價添加前述Dy或Tb而得到的那樣的高矯頑力試樣的矯頑力。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本再公表特許WO2008/123251號公報

專利文獻2：日本特開2006-17557號公報

在專利文獻2中公開了利用了磁力顯微鏡的垂直磁記錄介質中的矯頑力分布解析方法及其解析裝置，其在大致垂直于試樣地施加磁場的狀態下檢測對應于從試樣表面的磁疇產生的泄漏磁通的磁通。然而，在對試樣以及掃描其表面的測量頭施加強磁場的情況下，由于測量頭的磁化狀態發生變化這樣的問題而使強磁場中的測量困難，不能評價高矯頑力試樣的矯頑力。

發明內容

發明所要解決的技術問題

本發明認識到這樣的狀況，其目的在于提供一種不對測量磁性體試樣的泄漏磁通的測量部施加磁場便能夠評價高矯頑力試樣的矯頑力的磁場測量裝置。

解決技術問題的手段

本發明是一種磁場測量裝置，其特征在于：是測量磁性體試樣的矯頑力的磁場測量裝置，具備：第1磁場產生部，其對所述磁性體試樣施加第1方向的外部磁場并進行大致飽和磁化；第2磁場產生部，其對所述磁性體試樣施加與所述第1方向相反的反方向的磁場并進行退磁；測量部，其測量被所述第2磁場產生部退磁后的所述磁性體試樣的泄漏磁通；矯頑力判定部，其控制所述第1和第2磁場產生部以及所述測量部的動作，得到依次變更所述反方向的磁場大小時的所述泄漏磁通，并將該泄漏磁通最大時的所述磁場的大小作為所述磁性體試樣的矯頑力而輸出。本發明通過具有這樣的構造來測量退磁后的磁性體試樣，因而如在測量中施加磁場的情況那樣測量部不受所施加的磁場的影響。另外，由于以所述磁性體試樣的泄漏磁通最大時的第2磁場產生部的磁場的大小為基礎作為磁性體試樣的矯頑力而輸出，因此能夠不受退磁場的影響地正確測量磁性體試樣的剩磁。

另外，在本發明中，可選地，所述第1磁場產生部兼備所述第2磁場產生部的功能。

另外，在本發明中，可選地，所述第2磁場產生部對所述磁性體試樣施加一樣的磁場。

發明的效果

根據本發明，對于具有高的矯頑力的磁性體試樣(例如在Nd-Fe-B系磁體中添加了Dy或Tb的磁體)，不會有測量部被外部磁場磁化這樣的問題且微小區域的矯頑力的測量變得可能。

附圖說明

圖1是表示本發明所涉及的磁場測量裝置的概略立體圖。

圖2是表示磁性體試樣的矯頑力分布測量動作的流程圖。

圖3是矯頑力分布測量例子中所使用的磁性體試樣的磁化-磁場曲線。

圖4是表示磁性體試樣的矯頑力分布測量例子的泄漏磁通分布圖。

符號的說明：

1??基臺