[發明專利]雙相成對脈沖經顱磁刺激

在審

• 申請號: 201280067500.6
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN104093449A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 屠奧馬斯·內烏沃寧;亨利·漢努拉;古斯塔夫·涅菲特;亞爾莫·萊內
• 申請（專利權）人: 奈科斯迪姆公司
• 主分類號: A61N2/02
• 分類號: A61N2/02;A61B5/04;G01R33/48
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯

技術領域

本發明涉及利用成對脈沖的經顱磁刺激(TMS)。

背景技術

TMS在醫學研究領域有多種用途。通常，TMS線圈裝置用于無創傷地刺激受試者的頭顱。在典型操作中，TMS線圈產生一系列的單脈沖，其刺激受試者頭顱上的或頭顱內的特定位置。

在大部分非治療的情況中，測量受試者基于接收到的刺激的反應是很重要的。就腦映射功能而言，這一點是特別重要的。

現有的單脈沖刺激法存在著問題，因為在同一系列的脈沖中，受試者對刺激的反應可能在后續刺激的期間開始。因為在實際刺激期間，許多測量裝置也受到線圈刺激的影響，所以讀數和測量是不可能或不可靠的。

因此，需要減少為了引起反應而需要給予受試者的刺激量，其通常稱為運動閾值(MT)。在使用單脈沖的同時仍要獲得可測量的受試者對刺激的反應，就脈沖數量和強度而言，用于限制給出的刺激量的選擇是有限的。

發明內容

本發明的目的是提供一種在經顱磁刺激中利用雙相雙脈沖的方法。

本發明的一個方面是提供一種記錄對經顱磁刺激(TMS)的反應的方法，利用來自TMS線圈裝置的雙相雙脈沖對來刺激受試者，其中在所述雙相雙脈沖對中，相對于第一脈沖，第二脈沖具有較低的振幅，并且在所述TMS刺激后測量受試者對所述TMS刺激的反應。

此外，在本發明的某些實施例的一個方面中，當所述TMS線圈裝置不主動產生磁刺激時，在某個時間點進行所述測量步驟。

根據某些實施例，在所述雙相雙脈沖對的第一脈沖完成后的少于1毫秒，優選少于0.5毫秒產生所述雙相雙脈沖對的第二脈沖。此外，在雙相雙脈沖對的第二脈沖結束的2毫秒內、優選15毫秒內、更優選50毫秒內、還更優選100毫秒內，可以沒有由所述TMS線圈裝置所產生的磁刺激。

此外，根據某些實施例，在所述雙相雙脈沖對的第二脈沖結束至對至少第一部分的受試者對所述雙相雙脈沖對的反應進行測量前，所述TMS線圈裝置不產生磁場。

根據某些實施例，所述雙相雙脈沖對的第二脈沖比所述雙相雙脈沖對的第一脈沖低5-50％之間，優選低10-20％之間。此外，所述雙相雙脈沖對的第一脈沖的振幅比受試者的正常運動閾值低5-40％之間，優選低15-30％之間，更優選低18-20％之間。

此外，本發明的一方面是提供一種非暫時性的計算機可讀媒介，其上存儲有一組用于使處理器控制TMS線圈裝置與測量裝置以實施上述方法的步驟的指令。

附圖說明

圖1顯示了根據本發明一個實施例的系統的示例。

圖2顯示了根據本發明一個實施例的系統的另一示例。

圖3顯示了根據本發明一個實施例的包括獨立認知包的系統的另一示例。

圖4顯示了根據本發明一個實施例的語音映射的方法的高級流程圖。

圖5顯示了根據本發明一個實施例的語音映射的方法的更詳細的流程圖。

具體實施方式

成對脈沖也稱作雙脈沖或高頻沖擊，可將其用于增加受試者對刺激的生理反應或更有效地中斷正在進行的大腦認知過程。通常地，一對脈沖或一陣脈沖中的第一脈沖與后來的脈沖的強度可以相同、基本相同，或者第一脈沖可以具有比第二脈沖或后來的脈沖更高或更低的強度。然而，如本文將討論的，在一對或一系列脈沖中，當第二脈沖或后續脈沖的振幅比第一脈沖低時，將實現顯著的優勢。

雙相雙脈沖刺激可以用于代替一系列的重復的經顱磁刺激脈沖。一個雙相雙脈沖由兩個完整的正弦波組成或構成。一旦通過刺激線圈傳遞了第一雙相正弦波脈沖，則第二雙相正弦波脈沖也得以傳遞。這可以通過以被控制的時間間隔將兩個獨立的電容器放電來完成。此外，該裝置可包括單相刺激器電路。

圖1和圖2體現了該設想。脈沖1的振幅為A₁，周期為t_p1。類似地，脈沖2的振幅為A₂，周期為t_p2。由脈沖1和脈沖2構成的雙相雙脈沖對的第一脈沖和第二脈沖之間的時間為t_c。

通常根據所期望的生理效果來選擇雙脈沖的脈沖之間的時間間隔t_c。通常情況下，短的脈沖重復時間間隔的效果與長的重復時間間隔的效果相反。例如，用于經顱磁刺激的雙脈沖可以具有例如對應于50Hz-1000Hz的重復頻率的1-20毫秒的范圍內的脈沖之間的時間間隔。