[發(fā)明專利]光電動(dòng)勢裝置的制造方法以及光電動(dòng)勢裝置的制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280067059.1
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN104054187A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 濱本哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 孫蕾

1.一種光電動(dòng)勢裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基基板的表面擴(kuò)散雜質(zhì)元素，形成雜質(zhì)擴(kuò)散層的工序；以及

蝕刻工序，用于在所述硅基基板的第1面?zhèn)戎械闹辽僖徊糠种校コ鲭s質(zhì)擴(kuò)散層，

所述蝕刻工序包括：

蝕刻流體供給工序，在所述第1面?zhèn)戎校瑥墓┙o位置供給向所述硅基基板的外緣部流動(dòng)的蝕刻流體；以及

空氣供給工序，與所述蝕刻流體供給工序中的所述蝕刻流體的供給相匹配地，在所述硅基基板中的與所述第1面?zhèn)认喾吹牡?面?zhèn)戎校蚺c所述蝕刻流體相同的朝向供給空氣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電動(dòng)勢裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻流體供給工序中，供給泡狀的所述蝕刻流體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的光電動(dòng)勢裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻流體供給工序中，以針對所述硅基基板的面為30度以下的角度供給所述蝕刻流體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項(xiàng)所述的光電動(dòng)勢裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻工序中，使所述第1面?zhèn)瘸聛碓O(shè)置所述硅基基板。

5.一種光電動(dòng)勢裝置的制造裝置，其特征在于，具有：

載置臺，載置有形成了雜質(zhì)擴(kuò)散層的硅基基板；

蝕刻流體供給部，在載置于所述載置臺的所述硅基基板中的第1面?zhèn)鹊闹辽僖徊糠种校┙o用于去除所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的蝕刻流體；以及

空氣供給部，在所述硅基基板中的與所述第1面?zhèn)认喾吹牡?面?zhèn)戎校┙o空氣，

所述蝕刻流體供給部在所述第1面?zhèn)戎校瑥墓┙o位置供給向所述硅基基板的外緣部流動(dòng)的所述蝕刻流體，

所述空氣供給部與利用所述蝕刻流體供給部進(jìn)行的所述蝕刻流體的供給相匹配地，在所述第2面?zhèn)戎校蚺c所述蝕刻流體相同的朝向，供給所述空氣。