[發明專利]導電膜組合物、使用它制造的導電膜和包含該導電膜組合物的光學顯示設備有效
| 申請號: | 201280066811.0 | 申請日: | 2012-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN104115235B | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 申東明;姜炅求;具永權;金度泳 | 申請(專利權)人: | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號: | H01B1/16 | 分類號: | H01B1/16;H01B1/22 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 周丹,王珍仙 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 組合 使用 制造 包含 光學 顯示 設備 | ||
技術領域
本發明涉及導電膜組合物、使用該導電膜組合物制造的導電膜,以及包含該導電膜組合物的光學顯示設備。更具體地,本發明涉及導電膜組合物,所述導電膜組合物可提供具有良好的透明度、良好的薄層電阻、良好的彎曲特性等的單層導電膜,并且允許所述導電膜的簡單和經濟的制造工藝。本發明還涉及使用該導電膜組合物制造的導電膜以及包含該導電膜組合物的光學顯示設備。
背景技術
導電膜具有用于顯示裝置的包括觸摸屏面板和柔性顯示面板的各種應用,并因此被積極地研究以具有進一步改善的特性。所述導電膜需要不僅在透明度、薄層電阻等方面具有良好的基礎性能,而且還需要具有彎曲性能以滿足對柔性顯示器擴大應用的需求。
通常,通過在由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)組成的基膜的兩側上沉積氧化銦錫(ITO)膜而形成導電膜。通過干沉積在基膜上沉積ITO膜以確保良好的經濟可行性和透明度。然而,ITO膜可為導電膜提供高電阻和不理想的彎曲性能。
為了解決該問題,可通過濕膜涂布工藝在基膜上涂布導電聚合物、碳納米管或金屬納米顆粒代替ITO膜而形成導電膜。然而,該方法也提供了低的透光率系數,這對于透明導電膜是不理想的并使可靠性劣化。而且,所述金屬納米顆粒由于在膜中差的分散性可增加電阻。
近來,通過濕膜涂布工藝在基膜上涂布銀納米線溶液以制備導電膜。在該工藝中,通過在水中溶解銀納米線制備溶液并在基膜上涂布該溶液,使得銀納米線可以沉積在基膜上。然而,在該工藝中,為了彌補對基膜的低粘附性和低的耐溶劑性,應該以通過沉積外涂層在所述銀納米線層上形成的多層結構制備所述導電膜,所述外涂層是通過固化聚氨酯丙烯酸酯和引發劑的混合物而形成的。該工藝可克服在透明度、導電性等方面的問題,但是仍具有高制造成本和可加工性的問題。
發明內容
【技術問題】
本發明的一個方面提供了導電膜組合物,所述導電膜組合物可構成在透明度、薄層電阻和彎曲性能方面呈現優異性能的導電膜。
本發明的另一個方面提供了導電膜組合物,所述導電膜組合物可構成通過單層而呈現足夠的透明度、薄層電阻和彎曲性能,并且通過簡單和經濟的工藝裝配的導電膜。
本發明的又一個方面提供了導電層壓體,所述導電層壓體包括由所述導電膜組合物構成的導電膜。
本發明的又一個方面提供了光學顯示設備,所述光學顯示設備包括所述導電膜或導電層壓體。
【技術方案】
本發明的一個方面提供了導電膜組合物,包括(A)金屬納米線、(B)多官能單體和(C)引發劑,并且所述導電膜組合物可在基膜的至少一側上形成單涂布(導電)層。
本發明的另一個方面提供了導電層壓體,包括基膜和導電膜;所述導電膜由所述導電膜組合物組成并且以單涂布層涂布在所述基膜的至少一側上。
本發明的又一個方面提供了光學顯示設備,包括由所述導電膜組合物構成的導電膜或者包含所述導電膜組合物的導電層壓體。
【有益效果】
本發明提供了導電膜組合物,所述導電膜組合物可構成通過單層而呈現足夠的透明度、薄層電阻和彎曲性能,并且通過簡單和經濟的工藝裝配的導電膜。
并且本發明還提供了導電層壓體和包括該導電層壓體的光學顯示設備,所述導電層壓體包括由所述導電膜組合物組成的導電膜。
具體實施方式
【最佳方式】
在本發明的一個方面中,導電膜組合物可包括(A)金屬納米線、(B)多官能單體和(C)引發劑。根據本發明的所述導電膜組合物可在基膜的一側或兩側上形成導電膜,從而形成導電層壓體。
(A)金屬納米線
所述金屬納米線在固化后可形成嵌入在所述導電膜的基質中的導電網狀物。所述金屬納米線的導電網狀物可賦予所述膜導電性連同柔性。
而且,由于所述納米線的形狀,所述金屬納米線相對于金屬納米顆粒呈現改善的分散性。而且,由于所述納米顆粒和所述納米線的形狀不同,所述金屬納米線可顯著減少所述導電膜的薄層電阻。
所述金屬納米線具有一定橫截面的超細線形狀。
所述金屬納米線可具有約10至約1,000范圍的縱橫比L/d,即,所述納米線的長度(L)與直徑(d)的比。在該范圍內,所述膜組合物在被固化后可實現在低密度納米線時的高導電網狀物,并且減少薄層電阻。所述縱橫比優選地為大于約500至約1,000或更小,更優選地為從501至700。
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