[發明專利]機電系統的處理和用于機電系統處理的裝備

無效

• 申請號: 201280065740.2
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN104040708A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 笹川照夫;萊昂納德·尤金·芬內爾
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種形成裝置的方法，其包括：

將多個襯底從群集工具的轉移腔室轉移到所述群集工具的蝕刻腔室中；

使所述襯底暴露于氣相蝕刻劑；以及

在使所述襯底暴露于氣相蝕刻劑之后，執行以下至少一者：

使所述襯底轉移穿過所述轉移腔室且進入原子層沉積ALD腔室且使所述襯底暴露于氣相反應劑以通過ALD而在所述襯底上形成薄膜，以及

使所述襯底轉移穿過所述轉移腔室且進入第三腔室且使所述襯底暴露于氣相反應劑以在所述襯底上形成自組裝單層SAM。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在所述襯底彼此敞開連通時執行使所述襯底暴露于所述氣相蝕刻劑、使所述襯底暴露于氣相反應劑以形成所述薄膜和使所述襯底暴露于氣相反應劑以形成所述SAM中的至少一者。

3.根據權利要求1所述的方法，其中將所述襯底轉移到蝕刻腔室中、將所述襯底轉移到ALD腔室中和將所述襯底轉移到第三腔室中的至少一者包含將所述襯底轉移到外腔室和所述外腔室內的內腔室中。

4.根據權利要求3所述的方法，其中在所述襯底在所述至少一個內腔室內彼此敞開連通時執行對應于轉移所述襯底中的所述至少一個的所述使所述襯底暴露于所述氣相蝕刻劑、使所述襯底暴露于氣相反應劑以形成所述薄膜和使所述襯底暴露于氣相反應劑以形成所述SAM。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述薄膜通過ALD而形成于所述襯底上且所述SAM形成于所述襯底上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中轉移多個襯底包含循序的單一襯底轉移。

7.根據權利要求1所述的方法，其中轉移多個襯底包含多個襯底的同時轉移。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻工藝、所述ALD工藝和所述SAM工藝中的至少一者的處理壓力不同于轉移壓力。

9.根據權利要求1所述的方法，其中轉移所述襯底包含將所述襯底從源腔室轉移到目的地腔室，其中所述源腔室和所述目的地腔室及所述源腔室與所述目的地腔室之間的任何腔室在轉移期間被維持在小于10^-5Torr的壓力下。

10.根據權利要求11所述的方法，其中所述群集工具經配置以處置矩形襯底。

11.一種用于形成機電系統裝置的方法，其包括：

在群集工具的第一處理腔室中去除犧牲層以在多個襯底上產生機電裝置的可移動電極與靜止電極之間的間隙；以及

執行以下至少一者：

在所述群集工具的第二處理腔室中通過原子層沉積而將原子層沉積ALD層沉積于所述襯底的所述間隙內，以及

在所述群集工具的第三處理腔室中將自組裝單層SAM沉積于所述襯底的所述間隙內。

12.根據權利要求11所述的方法，其中在所述襯底彼此敞開連通時執行去除犧牲層、沉積ALD層和沉積SAM中的至少一者。

13.根據權利要求11所述的方法，其中在定位于外處理腔室內的內腔室內執行去除犧牲層、沉積ALD層和沉積SAM中的至少一者。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在所述襯底在所述內腔室內彼此敞開連通時執行去除犧牲層、沉積ALD層和沉積SAM中的所述至少一者。

15.根據權利要求11所述的方法，其中去除所述犧牲層包含將XeF₂提供到所述群集工具的所述第一處理腔室，同時將所述群集工具的所述第一處理腔室中的壓力維持在約0.1Torr與約5Torr之間。

16.根據權利要求11所述的方法，其中在所述群集工具的所述第二處理腔室中將ALD層形成于所述襯底的所述間隙內，且在所述群集工具的所述第三處理腔室中將所述自組裝單層SAM沉積于所述襯底的所述間隙內的所述ALD層上。

17.根據權利要求16所述的方法，其中在大于10^-2Torr的壓力下進行去除所述犧牲層、沉積ALD層和沉積所述SAM中的每一者，同時在使襯底在轉移腔室與所述處理腔室中的每一者之間轉移時，將連接到所述處理腔室中的每一者的所述群集工具的所述轉移腔室維持在小于10^-4Torr的壓力。