[發明專利]用于硬掩模組合物的單體、包含該單體的硬掩模組合物、以及使用該硬掩模組合物形成圖案的方法

有效

• 申請號: 201280065648.6
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN104024940B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 金潤俊;田桓承;趙娟振;尹龍云;李忠憲;權孝英;崔有廷
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F1/38;G03F7/004;G03F7/26;H01L21/027
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,張英

1.一種由下列化學式1表示的用于硬掩模組合物的單體：

[化學式1]

其中，在化學式1中，

A和A'為相同或不同的且各自獨立地為取代或未取代的芳族基團，所述芳族基團包含選自下列組1中的至少一種：

[組1]

L為單鍵或取代或未取代的C1至C6亞烷基基團，以及

n為范圍從2至5的整數。

2.根據權利要求1所述的用于硬掩模組合物的單體，其中，所述單體由下列化學式1b、或1c表示：

[化學式1b]

[化學式1c]

其中，在化學式1b、或1c中，

A¹至A⁴各自獨立地為取代或未取代的苯基、萘基、芘基、苝基、暈苯基、或它們的組合，以及

L¹至L³各自獨立地為單鍵或取代或未取代的C1至C6亞烷基基團。

3.根據權利要求1所述的用于硬掩模組合物的單體，其中，所述單體具有200至3,000的分子量。

4.一種用于硬掩模組合物的單體，由下列化學式1aa、1bb、1cc、1dd、或1ee表示：

[化學式1aa]

[化學式1bb]

[化學式1cc]

[化學式1dd]

[化學式1ee]

5.一種硬掩模組合物，包含：

根據權利要求1至權利要求4中任一項所述的單體，以及

溶劑。

6.根據權利要求5所述的硬掩模組合物，其中，基于所述硬掩模組合物的總量，所述單體以0.1至30wt％的量被包括。

7.一種形成圖案的方法，包括：

在基板上提供材料層，

將根據權利要求5所述的硬掩模組合物施加在所述材料層上，

熱處理所述硬掩模組合物以提供硬掩模層，

在所述硬掩模層上形成含硅薄層，

在所述含硅薄層上形成光致抗蝕劑層，

通過曝光和顯影所述光致抗蝕劑層形成光致抗蝕劑圖案，

使用所述光致抗蝕劑圖案選擇性地去除所述含硅薄層和所述硬掩模層以暴露所述材料層的一部分，以及

蝕刻所述材料層的暴露部分。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述硬掩模組合物使用旋涂法施加。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，在100至500℃下熱處理所述硬掩模層。