[發明專利]電特性優秀的透明導電性膜及利用該透明導電性膜的觸控面板

有效

• 申請號: 201280065638.2
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN104040643A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 金庚澤;金仁淑;趙靖;鄭根;李敏熙
• 申請（專利權）人: 樂金華奧斯有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;楊生平

1.一種透明導電性膜，其特征在于，包括：

膜基材，

第一導電性薄膜，其形成于所述膜基材上，

第二導電性薄膜，其形成于所述第一導電性薄膜上，以及

第三導電性薄膜，其形成于所述第二導電性薄膜上；

所述第二導電性薄膜由導電性高于所述第一導電性薄膜或者所述第三導電性薄膜的材質形成。

2.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二導電性薄膜包含選自錫、鋁、鉬、石墨烯以及鋅中的一種以上的材質而形成。

3.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第二導電性薄膜以1nm至10nm的厚度形成。

4.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一導電性薄膜以及所述第三導電性薄膜包含選自金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銅(Cu)、二氧化鈦(TiO₂)、氧化鎘(CdO)以及碘化銅(CuI)中的一種以上的材質而形成。

5.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一導電性薄膜以及所述第三導電性薄膜由透明導電氧化物形成，所述透明導電氧化物為銦錫氧化物(ITO)或摻氟二氧化錫(FTO)。

6.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一導電性薄膜由與所述第三導電性薄膜相同的材質形成。

7.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述透明導電性膜中，所述第一導電性薄膜、所述第二導電性薄膜以及所述第三導電性薄膜的總厚度為20nm至100nm。

8.根據權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述膜基材與所述第一導電性薄膜之間還包括：

第一電介質薄膜，其與所述膜基材相接觸而形成；以及

第二電介質薄膜，其形成于所述第一電介質薄膜上。

9.根據權利要求8所述的透明導電性膜，其特征在于，所述第一電介質薄膜以及第二電介質薄膜包含無機物或者有機物中的一種以上。

10.一種觸控面板，其特征在于，包括：

第一面板，其具有第一透明導電性膜，

第二面板，其與所述第一面板相向，并具有與所述第一透明導電性膜正交的第二透明導電性膜，以及

隔片，其配置在所述第一透明導電性膜與所述第二透明導電性膜之間；

所述第一透明導電性膜或者所述第二透明導電性膜包括膜基材、形成于所述膜基材上的第一導電性薄膜、形成于所述第一導電性薄膜上的第二導電性薄膜以及形成于所述第二導電性薄膜上的第三導電性薄膜；

所述第二導電性薄膜為由導電性高于所述第一導電性薄膜或者所述第三導電性薄膜的材質形成的透明導電性膜。