[發明專利]寫入驅動器電路和寫入自旋矩MRAM的方法

有效

• 申請號: 201280065461.6
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN104115228B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: S·M·阿拉姆;T·安德烈
• 申請（專利權）人: 艾沃思賓技術公司
• 主分類號: G11C7/00
• 分類號: G11C7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 劉倜

1.一種用于施加寫入電流通過磁隧道結器件的方法，其中所述磁隧道結器件的第一端耦接到相應的選擇晶體管的第一電極，該方法包括：

對所述選擇晶體管的控制電極施加第一電壓，以選擇該磁隧道結器件；

利用MOS跟隨器電路對所述磁隧道結器件的第二端施加第二電壓；以及

對所述選擇晶體管的第二電極施加第三電壓。

2.如權利要求1所述的方法，其中對所述磁隧道結器件的第二端施加第二電壓包括：

使用NMOS跟隨器電路施加所述第二電壓。

3.如權利要求1所述的方法，其中對所述選擇晶體管的第二電極施加第三電壓包括：

使用PMOS跟隨器電路施加所述第三電壓。

4.如權利要求1所述的方法，其中對所述磁隧道結器件的第二端施加第二電壓還包括：對與所述磁隧道結器件的第二端耦接的第一公共線施加所述第二電壓，并且

其中對所述選擇晶體管的第二電極施加第三電壓還包括：對與所述選擇晶體管的第二電極耦接的第二公共線施加所述第三電壓。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述第一公共線是位線，并且

其中施加第二電壓還包括利用位線選擇晶體管選擇所述位線。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述第二公共線是源極線，并且其中施加所述第三電壓進一步包括：

使用源極線選擇晶體管選擇所述源極線。

7.如權利要求1所述的方法，還包括：在施加所述第二電壓之前，將所述MOS跟隨器電路中的偏置信號與全局偏置信號隔離。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述MOS跟隨器電路包括與NMOS跟隨器晶體管串聯耦接的第一開關晶體管，并且其中施加所述第二電壓包括：對所述第一開關晶體管的控制電極提供第一使能信號。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述MOS跟隨器電路還包括耦接在所述NMOS跟隨器晶體管的控制電極和電壓源之間的電容器，所述方法還包括：

對所述NMOS跟隨器晶體管的控制電極提供全局偏置信號；以及

在施加所述第二電壓之前，將全局偏置信號與NMOS跟隨器晶體管的控制電極隔離。

10.一種用于施加寫入電流通過磁隧道結器件的方法，其中所述磁隧道結器件的第一端耦接到相應的選擇晶體管的第一電極，該方法包括：

對所述選擇晶體管的控制電極施加第一電壓，以選擇該磁隧道結器件；

利用MOS跟隨器電路對所述選擇晶體管的第二電極施加第二電壓；以及

對所述磁隧道結器件的第二端施加第三電壓。

11.如權利要求10所述的方法，對所述選擇晶體管的第二電極施加第二電壓進一步包括：

利用NMOS跟隨器電路施加所述第二電壓。

12.如權利要求10所述的方法，其中對所述磁隧道結器件的第二端施加第三電壓包括：

利用PMOS跟隨器電路施加所述第三電壓。

13.如權利要求10所述的方法，對所述選擇晶體管的第二電極施加第二電壓進一步包括：對與所述選擇晶體管的第二電極耦接的第一公共線施加所述第二電壓；并且

其中對所述磁隧道結器件的第二端施加第三電壓進一步包括：對與所述磁隧道結器件的第二端耦接的第二公共線施加所述第三電壓。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述第一公共線是源極線，所述第二公共線是位線，并且

其中施加第二電壓進一步包括使用源極線選擇晶體管選擇所述源極線，并且其中施加所述第三電壓進一步包括利用位線選擇晶體管選擇所述位線。

15.如權利要求10所述的方法，其中所述MOS跟隨器電路包括：

與NMOS跟隨器晶體管串聯耦接的開關晶體管，以及

耦接在所述NMOS跟隨器晶體管的控制電極和電壓源之間的電容器，并且

所述方法進一步包括：

對所述NMOS跟隨器晶體管的控制電極提供全局偏置信號；以及

在施加所述第二電壓之前，將所述全局偏置信號與NMOS跟隨器晶體管的控制電極隔離。