[發明專利]控制了重鏈與輕鏈的締合的抗原結合分子

有效

• 申請號: 201280065166.0
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN104011207B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 倉持太一;川添明里;廣庭奈緒香;井川智之
• 申請（專利權）人: 中外制藥株式會社
• 主分類號: C12N15/09
• 分類號: C12N15/09;A61K39/395;C07K16/46;C12N1/15;C12N1/19;C12N1/21;C12N5/10;C12P21/02;C12P21/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 柳春琦

1.抗原結合分子，其是控制了重鏈與輕鏈的締合的抗原結合分子，

在該抗原結合分子中，重鏈和輕鏈中的以下的(a)所示氨基酸殘基組是電荷相互排斥的氨基酸殘基：

(a)重鏈恒定區CH1所包含的EU編號第147位的氨基酸殘基、和輕鏈恒定區CL所包含的EU編號第180位的氨基酸殘基；

其中，上述電荷相互排斥的氨基酸殘基選自

谷氨酸(E)和

賴氨酸(K)。

2.權利要求1所述的抗原結合分子，而且，以下的(b)～(d)的一項或多項中所示氨基酸殘基組的氨基酸殘基是電荷相互排斥的氨基酸殘基：

(b)CH1所包含的EU編號第147位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第131位的氨基酸殘基；

(c)CH1所包含的EU編號第175位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第160位的氨基酸殘基；和

(d)CH1所包含的EU編號第213位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第123位的氨基酸殘基；

其中，上述電荷相互排斥的氨基酸殘基選自

谷氨酸(E)和

賴氨酸(K)。

3.權利要求1-2中任一項所述的抗原結合分子，而且，形成重鏈可變區和輕鏈可變區的界面的兩個殘基以上的氨基酸殘基是所述電荷相互排斥的氨基酸殘基。

4.權利要求1-2任一項所述的抗原結合分子，該抗原結合分子為雙特異性抗體。

5.控制了重鏈與輕鏈的締合的抗原結合分子的制備方法，該制備方法包括下述的步驟(1)-(3)：

步驟(1)，修飾編碼重鏈恒定區CH1和輕鏈恒定區CL的核酸，使以下的(a)所示氨基酸殘基組電荷相互排斥：

(a)CH1所包含的EU編號第147位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第180位的氨基酸殘基；

步驟(2)，將上述修飾了的核酸導入宿主細胞中，并培養宿主細胞，使該核酸表達；

步驟(3)，從上述宿主細胞的培養物中回收抗原結合分子，

其中，所述方法在上述步驟(1)中包括如下步驟：修飾核酸，使電荷相互排斥的氨基酸殘基選自谷氨酸(E)和

賴氨酸(K)。

6.權利要求5所述的抗原結合分子的制備方法，其中，在上述步驟(1)中進一步包括如下步驟：修飾核酸，使以下的(b)-(d)中一項或多項所示氨基酸殘基組的氨基酸殘基電荷相互排斥，

(b)CH1所包含的EU編號第147位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第131位的氨基酸殘基；

(c)CH1所包含的EU編號第175位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第160位的氨基酸殘基；和

(d)CH1所包含的EU編號第213位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第123位的氨基酸殘基；

其中，所述方法在上述步驟(1)中包括如下步驟：修飾核酸，使電荷相互排斥的氨基酸殘基選自谷氨酸(E)和

賴氨酸(K)。

7.權利要求5-6中任一項所述的抗原結合分子的制備方法，其中，在上述步驟(1)中進一步包括如下步驟：修飾核酸，使形成重鏈可變區和輕鏈可變區的界面的兩個殘基以上的氨基酸殘基是所述電荷相互排斥的氨基酸殘基。

8.抗原結合分子的重鏈與輕鏈的締合控制方法，該方法包括：修飾核酸，使以下的(a)所示氨基酸殘基組成為電荷相互排斥的氨基酸殘基，

(a)CH1所包含的EU編號第147位的氨基酸殘基、和CL所包含的EU編號第180位的氨基酸殘基；

其中，上述電荷相互排斥的氨基酸殘基選自谷氨酸(E)和

賴氨酸(K)。