[發明專利]具有與容納區處于熱平衡的溝道區的憶阻器

有效

• 申請號: 201280065140.6
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN104011863A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 苗峰;楊建華;約翰·保羅·斯特羅恩;易偉;吉爾貝托·梅代羅斯·里貝羅;R·斯坦利·威廉姆斯
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;宋志強

1.一種具有與容納區處于熱平衡的溝道區的憶阻器，所述憶阻器包括：

溝道區，具有可變濃度的移動離子；以及

具有化學計量晶體材料的容納區，容納所述溝道區且與所述溝道區處于熱平衡。

2.根據權利要求1所述的憶阻器，其中所述溝道區包括芯和梯度區。

3.根據權利要求2所述的憶阻器，其中所述溝道區包括雙穩金屬氧化物固溶體和非晶氧化物相。

4.根據權利要求3所述的憶阻器，其中所述溝道區包括Ta(O)和TaO_x，所述容納區包括Ta₂O₅。

5.根據權利要求3所述的憶阻器，其中所述溝道區包括Hf(O)和HfO_x，所述容納區包括HfO₂。

6.一種具有與容納區處于熱平衡的溝道區的憶阻器，所述憶阻器包括：

基板；

絕緣層，與所述基板相鄰；

第一接觸區，與所述絕緣層相鄰；

第二接觸區，與所述第一接觸區間隔開；

容納區，被設置在接觸區之間；以及

溝道區，由所述容納區、所述第一接觸區以及所述第二接觸區包圍，所述溝道區具有可變濃度的移動離子且與所述容納區處于熱平衡。

7.根據權利要求6所述的憶阻器，其中所述溝道區包括芯和梯度區。

8.根據權利要求7所述的憶阻器，其中所述溝道區包括金屬氧化物固溶體和非晶氧化物相。

9.根據權利要求8所述的憶阻器，其中所述溝道區包括Ta(O)和TaO_x，所述容納區包括Ta₂O₅。

10.根據權利要求9所述的憶阻器，其中所述溝道區包括Hf(O)和HfO_x，所述容納區包括HfO₂。

11.根據權利要求6所述的憶阻器，進一步包括位于所述絕緣層與所述第一接觸區之間的貼附層。

12.一種制造憶阻器的方法，所述方法包括：

在支撐結構上沉積第一接觸區；

在所述第一接觸區上沉積容納區；

在所述容納區上沉積第二接觸區；以及

形成在接觸區之間的且與所述容納區處于熱平衡的溝道區。

13.根據權利要求12所述的方法，其中形成溝道區包括跨接觸區施加電勢，以產生穿過所述容納區的電場。

14.根據權利要求12所述的方法，其中形成溝道區包括使所述容納區暴露于離子束和電子束中的一個。

15.根據權利要求12所述的方法，其中形成溝道區包括對所述容納區進行真空退火。