[發(fā)明專利]耐高負荷氧發(fā)生用陽極及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280064839.0
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN104024481A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 曹翊;加藤昭博;平尾和宏;古澤崇
• 申請（專利權(quán)）人: 培爾梅烈克電極股份有限公司
• 主分類號: C25B11/04
• 分類號: C25B11/04
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種氧發(fā)生用陽極，其包括導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的含有氧化銥的催化劑層，其中所述催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，將該涂層在430℃至480℃的高溫區(qū)域內(nèi)焙燒，以形成含有無定形氧化銥的催化劑層，并將該含有無定形氧化銥的催化劑層在520℃至600℃的高溫區(qū)域內(nèi)后焙燒，以將所述催化劑層中幾乎全部量的氧化銥結(jié)晶化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧發(fā)生用陽極，其包括所述導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的所述含有氧化銥的催化劑層，其中所述催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，并使后焙燒之后的所述催化劑層中氧化銥的結(jié)晶度不低于80％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧發(fā)生用陽極，其包括所述導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的所述含有氧化銥的催化劑層，其中所述催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，并使該催化劑層中的氧化銥的晶體直徑不長于9.0nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的氧發(fā)生用陽極，其包括所述導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的所述含有氧化銥的催化劑層，其中在形成所述催化劑層之前，通過電弧離子鍍法在所述導電性金屬基體上形成含有鉭和鈦成分的電弧離子鍍底層。

5.一種氧發(fā)生用陽極的制造方法，該氧發(fā)生用陽極包括導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的含有氧化銥的催化劑層，其中該催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，并且通過在430℃至480℃的高溫區(qū)域內(nèi)焙燒，在所述導電性金屬基體的表面上形成含有無定形氧化銥的催化劑層，并將該含有無定形氧化銥的催化劑層在520℃至600℃的高溫區(qū)域內(nèi)后焙燒，以將該催化劑層中幾乎全部量的氧化銥結(jié)晶化。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氧發(fā)生用陽極的制造方法，其中所述催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，并且通過在430℃至480℃的高溫區(qū)域內(nèi)焙燒，在所述導電性金屬基體的表面上形成所述含有無定形氧化銥的催化劑層，并將所述含有無定形氧化銥的催化劑層在520℃至600℃的高溫區(qū)域內(nèi)后焙燒，以使所述催化劑層中的氧化銥的結(jié)晶度不低于80％。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的氧發(fā)生用陽極的制造方法，其中所述催化劑層的銥的一次涂覆量不少于2g/m²，并且通過在430℃至480℃的高溫區(qū)域內(nèi)焙燒，在所述導電性金屬基體的表面上形成所述含有無定形氧化銥的催化劑層，并將所述含有無定形氧化銥的催化劑層在520℃至600℃的高溫區(qū)域內(nèi)后焙燒，以使所述催化劑層中的氧化銥的晶體直徑不長于9.0nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項所述的氧發(fā)生用陽極的制造方法，所述氧發(fā)生用陽極包括所述導電性金屬基體和在該導電性金屬基體上形成的所述含有氧化銥的催化劑層，其中在形成所述催化劑層之前，通過電弧離子鍍法在所述導電性金屬基體上形成含有鉭和鈦成分的電弧離子鍍底層。