[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器單元、集成裝置及形成存儲(chǔ)器單元的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280064400.8
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN104081525B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德烈亞·雷達(dá)埃利;烏戈·魯索;阿戈斯蒂諾·皮羅瓦諾;西蒙娜·拉維扎里
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

1.一種集成裝置，其包括：

硫族化物材料；

頂部電極，其在所述硫族化物材料上方；及

夾層，其在所述頂部電極與所述硫族化物材料之間，相對于在不存在所述夾層的情況下將跨越所述裝置的頂部電極/硫族化物材料界面發(fā)生的熱電阻，所述夾層降低所述裝置中的所述熱電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述夾層包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。

3.一種集成裝置，其包括：

硫族化物材料；

導(dǎo)電材料，其在所述硫族化物材料上方；及

散熱片，其在所述導(dǎo)電材料與所述硫族化物材料之間，所述散熱片直接抵靠所述導(dǎo)電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導(dǎo)電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中：

所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺；

所述導(dǎo)電材料包括鈦；且

所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中：

所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺；

所述導(dǎo)電材料包括鈦、鋁及氮；且

所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的碲及銻中的一者或兩者。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中：

所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺；

所述導(dǎo)電材料包括鉭；且

所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鉭。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中：

所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺；

所述導(dǎo)電材料包括鎢；且

所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鎢。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述散熱片具有小于或等于約5納米的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述散熱片具有在從約1納米到約5納米的范圍內(nèi)的厚度。

10.一種存儲(chǔ)器單元，其包括：

加熱器材料；

硫族化物材料，其在所述加熱器材料上方；

導(dǎo)電材料，其在所述硫族化物材料上方；及

散熱片，其在所述導(dǎo)電材料與所述硫族化物材料之間，所述散熱片直接抵靠所述導(dǎo)電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導(dǎo)電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述硫族化物材料包括銻、碲及鍺。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述導(dǎo)電材料包括鈦，且其中所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鈦。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述導(dǎo)電材料包括鉭，且其中所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鉭。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述導(dǎo)電材料包括鎢，且其中所述散熱片包括組合有碲及銻中的一者或兩者的鎢。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述導(dǎo)電材料包括鈦、鋁及氮；且其中所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的碲。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述導(dǎo)電材料包括鈦、鋁及氮；且其中所述散熱片包括組合有鈦及鋁中的一者或兩者的銻。

17.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

在加熱器材料上方形成硫族化物材料；

在所述硫族化物材料上方形成導(dǎo)電材料；及

在所述導(dǎo)電材料與所述硫族化物材料之間形成散熱片，所述散熱片直接抵靠所述導(dǎo)電材料及所述硫族化物材料；所述散熱片包括包含與所述導(dǎo)電材料相同的元素且包含與所述硫族化物材料相同的元素的組合物。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述形成所述散熱片包括：

將前驅(qū)物材料直接沉積到所述硫族化物材料上；及

對所述前驅(qū)物材料及所述硫族化物材料進(jìn)行熱處理以導(dǎo)致所述前驅(qū)物材料與所述硫族化物材料之間的反應(yīng)且借此形成所述散熱片。