[發明專利]膜厚分布測定方法有效
| 申請號： | 201280064366.4 | 申請日： | 2012-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104011499A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 桑原登 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | G01B11/06 | 分類號： | G01B11/06;H01L21/66;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分布 測定 方法 | ||
1.一種膜厚分布測定方法，利用反射光譜法而測定帶薄膜晶片的第一薄膜的膜厚分布，該帶薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于該第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布測定方法其特征在于，包括：
通過模擬算出量變曲線P1的工序，該量變曲線P1表示上述測定對象的帶薄膜晶片對于可見光波長以上波長區域的光的反射率的波長相關性；
通過模擬算出量變曲線P21的工序，該量變曲線P21表示具有僅比上述測定對象的帶薄膜晶片的上述第二薄膜的設定膜厚T2薄或厚t[nm]的第二薄膜的帶薄膜晶片對于可見光以上波長區域的光的反射率的波長相關性；
算出上述所算出的雙方量變曲線P1、P21之差即量變曲線P31(＝P21－P1)，并求出所算出的差值即量變曲線P31成為零時的波長λ1的工序；
選擇包括上述所求出的波長λ1的波段作為利用上述反射光譜法的膜厚分布測定所使用的光的波段的工序；以及，
向上述測定對象的帶薄膜晶片的表面照射光，僅將來自該帶薄膜晶片的表面的反射光中的上述所選擇的波段的反射光作為測定對象，或者向上述測定對象的帶薄膜晶片的表面照射上述所選擇的波段的光，將來自該帶薄膜晶片的表面的全部反射光作為測定對象，并利用反射光譜法而測定上述第一薄膜的膜厚分布的工序。
2.根據權利要求1所述的膜厚分布測定方法，其特征在于，
在選擇包括上述所求出的波長λ1的波段的工序中，從波長λ1±50[nm]的范圍內選擇上述波段。
3.一種膜厚分布測定方法，利用反射光譜法而測定帶薄膜晶片的第二薄膜的膜厚分布，該帶薄膜晶片具有形成于基片的表面上的第一薄膜、以及形成于該第一薄膜的表面上的第二薄膜，上述膜厚分布測定方法其特征在于，包括：
通過模擬算出量變曲線P1的工序，該量變曲線P1表示上述測定對象的帶薄膜晶片對于可見光波長以上波長區域的光的反射率的波長相關性；
通過模擬算出量變曲線P22的工序，該量變曲線P22表示具有僅比上述測定對象的帶薄膜晶片的上述第一薄膜的設定膜厚T1薄或厚t[nm]的第一薄膜的帶薄膜晶片對于可見光以上波長區域的光的反射率的波長相關性；
算出上述所算出的雙方量變曲線P1、P22之差即量變曲線P32(＝P22－P1)，并求出該所算出的差值即量變曲線P32成為零時的波長λ2的工序；
選擇包括上述所求出的波長λ2的波段作為利用上述反射光譜法的膜厚分布測定所使用的光的波段的工序；以及，
向上述測定對象的帶薄膜晶片的表面照射光，僅將來自該帶薄膜晶片的表面的反射光中的上述所選擇的波段的反射光作為測定對象，或者向上述測定對象的帶薄膜晶片的表面照射上述所選擇的波段的光，將來自該帶薄膜晶片的表面的全部反射光作為測定對象，并利用反射光譜法而測定上述第二薄膜的膜厚分布的工序。
4.根據權利要求3所述的膜厚分布測定方法，其特征在于，
在選擇包括上述所求出的波長λ2的波段的工序中，從波長λ2±50[nm]的范圍內選擇上述波段。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于信越半導體株式會社，未經信越半導體株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280064366.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
