[發明專利]發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201280064137.2
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN104011886A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 任臺爀;金彰淵;尹余鎮;李俊熙;南基范;金多慧;任昶翼;金永郁
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;韓明花

1.一種發光二極管，包括：

第一導電型覆蓋層；

光散射圖案，位于所述第一導電型覆蓋層內，且折射率與所述第一導電型覆蓋層的折射率不同；

活性層，位于所述第一導電型覆蓋層下部；

第二導電型覆蓋層，位于所述活性層下部；

第一電極，電連接于所述第一導電型覆蓋層上；

第二電極，電連接于所述第二導電型覆蓋層上。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中，將所述光散射圖案與所述第一電極重疊而設置。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其中，將所述光散射圖案限定在與所述第一電極重疊的區域及其相鄰區域而設置。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其中，所述第一電極具有粘接墊和延伸部，而所述光散射圖案位于粘接墊下部卻并不位于所述延伸部下部。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其中，由所述光散射圖案所定義的開口部的寬度在與所述第一電極重疊的區域內比并不與所述第一電極重疊的區域更小。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其中，所述光散射圖案為具有多個凸點、多個線條或多個貫通孔的膜。

7.如權利要求1所述的發光二極管，其中，所述光散射圖案為具有比所述第一導電型覆蓋層的折射率更小的折射率的絕緣膜。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其中，所述光散射圖案是由折射率互不相同的膜交替層疊而成。

9.一種發光二極管制造方法，包括如下步驟：

形成下部第一導電型覆蓋層；

在所述下部第一導電型覆蓋層上形成折射率不同于所述下部第一導電型覆蓋層的折射率的光散射圖案；

在所述光散射圖案上形成上部第一導電型覆蓋層；

在所述上部第一導電型覆蓋層上形成活性層；

在所述活性層上形成第二導電型覆蓋層；

形成電連接于所述下部第一導電型覆蓋層的電極。

10.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，將所述光散射圖案形成為與所述電極重疊而設置。

11.如權利要求10所述的發光二極管制造方法，其中，將所述光散射圖案形成為限定在與所述第一電極重疊的區域及其相鄰區域而設置。

12.如權利要求11所述的發光二極管制造方法，其中，所述第一電極具有粘接墊和延伸部，而所述光散射圖案位于與粘接墊重疊的區域卻并不位于與所述延伸部重疊的區域。

13.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，由所述光散射圖案所定義的開口部的寬度在與所述第一電極重疊的區域內比并不與所述第一電極重疊的區域更窄。

14.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，所述光散射圖案形成為具有多個凸點、多個線條或多個貫通孔的膜。

15.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，所述光散射圖案為折射率比所述第一導電型覆蓋層的折射率更小的絕緣膜。

16.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，所述光散射圖案是由折射率互不相同的膜交替層疊而成。

17.如權利要求9所述的發光二極管制造方法，其中，還包括如下步驟：

將所述下部第一導電型覆蓋層形成于生長基板上；

在形成所述電極之前除去所述生長基板，從而使所述下部第一導電型覆蓋層暴露。

18.如權利要求17所述的發光二極管制造方法，其中，所述生長基板為GaN基板，而所述第一導電型覆蓋層為GaN層。