[發明專利]太陽能電池及其制造方法在審
| 申請號: | 201280063587.X | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN104011872A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 林真宇 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
背電極層;以及,
在所述背電極層上的光吸收層,
其中,所述光吸收層包括未摻雜區和在所述未摻雜區上的摻雜區,
其中,所述摻雜區包括鋅。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,在所述摻雜區中的所述鋅的重量百分比在0.1%至3%的范圍中。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,進一步包括在所述光吸收層上的緩沖層,其中,所述緩沖層包括氧化鎂鋅(MgZnO)。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其中,通過化學式(MgxZn1-x)O來表達氧化鎂鋅(MgZnO)。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池,其中,x滿足等式0.3≤x≤0.7。
6.根據權利要求2所述的太陽能電池設備,其中,是摻雜區的厚度與所述未摻雜區的厚度的比率小于0.5:1。
7.一種制造太陽能電池的方法,所述方法包括:
在基板上形成背電極層;
在所述背電極層上形成初步光吸收層;
在所述初步光吸收層上形成摻雜劑供應層;并且,
擴散所述摻雜劑供應層。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述初步光吸收層包括基于Cu-In-Ga-Se的結構。
9.根據權利要求7所述的方法,其中,所述摻雜劑供應層包括鋅化合物。
10.根據權利要求7所述的方法,其中,所述摻雜劑供應層包括二甲基鋅。
11.根據權利要求7所述的方法,其中,在小于或等于350℃的溫度下執行所述摻雜劑供應層的所述擴散。
12.根據權利要求7所述的方法,其中,執行所述摻雜劑供應層的所述擴散的時間小于或等于600秒。
13.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:在形成所述摻雜劑供應層后形成緩沖層,其中,所述緩沖層包括氧化鎂鋅。
14.根據權利要求7所述的方法,其中,所述摻雜劑供應層的所述擴散包括向所述初步光吸收層內擴散所述摻雜劑供應。
15.根據權利要求7所述的方法,其中,所述摻雜劑供應層的所述擴散包括形成包括摻雜區的光吸收層。
16.根據權利要求15所述的方法,其中,所述摻雜區包括鋅。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,在所述摻雜區中的所述鋅的量的重量百分比在0.1%至3%的范圍中。
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





