[發明專利]片式電阻器及其制造方法

在審

• 申請號: 201280063419.0
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN104025210A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 額賀榮二;玉川博詞;近藤靖浩;松浦勝也
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C13/02;H01C17/06;H01C17/242
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種片式電阻器，其特征在于包括：

基板，具有元件形成面、與所述元件形成面相反側的背面、以及將所述元件形成面和所述背面之間進行連接的側面；

電阻，形成在所述元件形成面上；

外部連接電極，與所述電阻電連接，配置在所述元件形成面上；以及

樹脂膜，以露出所述外部連接電極的狀態覆蓋所述元件形成面，

所述基板的所述背面和側面交叉的交叉部呈圓形。

2.根據權利要求1所述的片式電阻器，其特征在于：

所述基板具有相互交叉的多個所述側面，所述多個側面交叉的交叉部呈圓形。

3.根據權利要求2所述的片式電阻器，其特征在于：

所述圓形的曲率半徑在20μm以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的片式電阻器，其特征在于：

所述基板與所述電阻之間具有絕緣層。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的片式電阻器，其特征在于：

所述電阻包括形成在所述元件形成面上的薄膜電阻體，

所述片式電阻器還包括與所述薄膜電阻體連接并且形成在所述元件形成面上的布線膜，

所述樹脂膜覆蓋所述薄膜電阻體和所述布線膜。

6.根據權利要求5所述的片式電阻器，其特征在于：

所述電阻由具有相同電阻值的多個薄膜電阻體形成，

在指定的微調對象區域中，能夠改變所述多個薄膜電阻體的連接狀態。

7.根據權利要求5或6所述的片式電阻器，其特征在于還包括：

保護膜，以覆蓋所述薄膜電阻體和布線膜的方式形成在所述元件形成面上，所述樹脂膜形成為覆蓋所述保護膜的表面。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的片式電阻器，其特征在于：

所述基板的所述元件形成面和側面交叉的交叉部是與所述圓形不同的形狀。

9.根據權利要求8所述的片式電阻器，其特征在于：

所述樹脂膜覆蓋所述基板的所述元件形成面和側面交叉的交叉部。

10.根據權利要求9所述的片式電阻器，其特征在于：

所述樹脂膜在所述基板的所述元件形成面和側面交叉的交叉部處向所述基板的外側鼓出。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的片式電阻器，其特征在于：

所述樹脂膜在所述基板的側面上設置在朝所述元件形成面側與所述背面分離的區域中。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的片式電阻器，其特征在于：

所述樹脂膜包含聚酰亞胺。

13.一種片式電阻器的制造方法，其特征在于包括：

在基板的元件形成面上，形成分別具有電阻的多個片式電阻器區域的工序；

在相鄰的所述片式電阻器區域之間的邊界區域中除去所述基板的材料，以形成與所述元件形成面垂直的側面的工序；

通過在所述邊界區域中截斷所述基板，切下片式電阻器的工序；以及

在截斷了的所述片式電阻器中，通過從與所述元件形成面相反側的背面側進行蝕刻，從而將所述背面和側面交叉的交叉部整形為圓形的工序。

14.根據權利要求13所述的片式電阻器的制造方法，其特征在于：

在形成所述側面的工序中，形成相互交叉的多個所述側面，所述蝕刻是等向蝕刻，所述多個側面交叉的交叉部被整形為圓形。

15.根據權利要求13或14所述的片式電阻器的制造方法，其特征在于：

所述蝕刻包括向所述片式電阻器的背面側霧狀噴出蝕刻液的工序。

16.根據權利要求13～15中任一項所述的片式電阻器的制造方法，其特征在于還包括：

形成覆蓋所述元件形成面的樹脂膜的工序。

17.根據權利要求16所述的片式電阻器的制造方法，其特征在于：

形成所述樹脂膜的工序包括用所述樹脂膜覆蓋所述基板的所述元件形成面和側面交叉的交叉部的工序。