[發(fā)明專利]太陽能電池模塊及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280061878.5 | 申請日: | 2012-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN103999234A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李東根 | 申請(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 模塊 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池模塊,包括:
多個(gè)太陽能電池,所述太陽能電池包括在支撐基板的頂表面上依次設(shè)置的背電極層、光吸收層和前電極層;
斜孔,形成為傾斜地穿過所述支撐基板;
位于所述支撐基板的底表面上的接線盒;以及
母線,所述母線連接到所述太陽能電池中的一個(gè),并且通過所述斜孔電連接到所述接線盒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述斜孔形成為傾斜地穿過所述支撐基板,同時(shí)從所述支撐基板的頂表面的外圍部分延伸到所述支撐基板的底表面的中心部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述斜孔相對于所述支撐基板的傾斜角處于20°到40°的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述斜孔形成于所述支撐基板的非作用區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述母線包括:
第一母線,與所述太陽能電池中的一個(gè)的頂表面直接接觸;以及
第二母線,與所述太陽能電池中的另一個(gè)的頂表面直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池模塊,其中,所述斜孔包括供所述第一母線從中通過的第一斜孔以及供所述第二母線從中通過的第二斜孔,
所述第一斜孔包括形成于所述支撐基板的頂表面中的第1開口,以及形成于所述支撐基板的底表面中的第1’開口,并且,
所述第二斜孔包括形成于所述支撐基板的頂表面中的第2開口,以及形成于所述支撐基板的底表面中的第2’開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一斜孔設(shè)置為與所述第二斜孔相對。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述第1開口與所述第2開口之間的第一距離大于所述第1’開口與所述第2’開口之間的第二距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一距離與所述第二距離的比值處于1.5:1到10:1的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述接線盒設(shè)置在所述第1’開口和所述第2’開口上。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一斜孔和所述第二斜孔的傾斜角處于20°到40°的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一斜孔的傾斜角等于所述第二斜孔的傾斜角。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池模塊,其中,所述第一斜孔的傾斜角與所述第二斜孔的傾斜角不相等。
14.一種制造太陽能電池模塊的方法,所述方法包括:
在支撐基板中形成斜孔;
在所述支撐基板上形成太陽能電池;
在所述太陽能電池上形成母線;以及
令所述母線通過所述斜孔,并將所述母線電連接到設(shè)置于所述支撐基板的底表面上的接線盒。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,通過機(jī)械刻蝕所述支撐基板或者對所述支撐基板執(zhí)行激光刻蝕工藝來形成所述斜孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述斜孔形成于所述支撐基板的非作用區(qū)域中。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,在所述支撐基板上形成太陽能電池包括:
在所述支撐基板上設(shè)置背電極層;
在所述背電極層上設(shè)置光吸收層;以及
在所述光吸收層上設(shè)置前電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述斜孔的傾斜角處于20°到40°的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述斜孔形成為傾斜地穿過所述支撐基板,同時(shí)從所述支撐基板的頂表面的外圍部分延伸到所述支撐基板的底表面的中心部分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG伊諾特有限公司,未經(jīng)LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280061878.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





