[發(fā)明專利]高壓晶體管器件和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280061404.0
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN103988287A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設計）人: 馬丁·克奈普
• 申請（專利權(quán)）人: ams有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種高壓晶體管器件，具有：

-具有上側(cè)(10)的半導體襯底(1)，

-摻雜的凹部(2)，所述凹部在所述半導體襯底(1)中具有下邊界面(20)，使得在所述上側(cè)(10)和所述下邊界面(20)之間存在間距(F，G)，

-體部區(qū)域(3)，所述體部區(qū)域設置在所述凹部(2)中并且在所述上側(cè)(10)上具有邊緣(7)，所述邊緣具有彼此相對置的第一邊緣側(cè)(8)和彼此相對置的第二邊緣側(cè)(18)，其中所述體部區(qū)域(3)具有第一導電類型，并且其中所述凹部(2)的沒有由所述體部區(qū)域(3)所占據(jù)的部分具有與第一傳導類型相反的第二傳導類型，

-源極區(qū)域(4)，所述源極區(qū)域在所述第二邊緣側(cè)(18)中的一個處設置在所述體部區(qū)域(3)中并且具有所述第二傳導類型，和

-漏極區(qū)域(5)，所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域(4)相對地以距所述體部區(qū)域(3)一定間距的方式在所述上側(cè)(10)上設置在所述凹部(2)中并且具有所述第二傳導類型，

其特征在于，

-在所述上側(cè)(10)和所述凹部(2)的所述下邊界面(20)之間的間距(F，G)在所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)處比在所述第二邊緣側(cè)(18)處小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓晶體管器件，其中將所述體部區(qū)域(3)的以距所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)一定間距的方式存在于所述源極區(qū)域(4)和所述漏極區(qū)域(5)之間的部分設為通道區(qū)域(6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓晶體管器件，其中所述凹部(2)在所述源極區(qū)域(4)和所述漏極區(qū)域(5)之間具有降低的摻雜材料濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的高壓晶體管器件，其中所述第一邊緣側(cè)(8)短于所述第二邊緣側(cè)(18)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的高壓晶體管器件，其中所述半導體襯底(1)鄰近于所述凹部(2)具有所述第一傳導類型。

6.一種用于高壓晶體管器件的制造方法，其中

-在半導體襯底(1)的上側(cè)(10)上，借助于注入摻雜材料將第一傳導類型的體部區(qū)域(3)制造在相反的第二傳導類型的凹部(2)中，使得所述凹部(2)包圍所述體部區(qū)域(3)的具有相對置的第一邊緣側(cè)(8)的邊緣(7)，

-在所述上側(cè)(10)上，在所述體部區(qū)域(3)中形成所述第二傳導類型的源極區(qū)域(4)，并且

-在所述上側(cè)(10)上，以距所述體部區(qū)域(3)一定間距的方式在所述凹部(2)中形成所述第二傳導類型的漏極區(qū)域(5)，

其特征在于，

-所述凹部(2)形成為，使得其在垂直于所述上側(cè)(10)的方向上在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中與在所述體部區(qū)域(3)的與所述第一邊緣側(cè)(8)間隔開的部分中相比不那么深地進入到所述半導體襯底(1)中，并且對此

-使用注入掩膜(11)，所述注入掩模具有開口(12)，所述開口在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中縮小。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開口(12)在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中多次劃分進而縮小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中將所述開口(12)通過所述注入掩膜(11)的平行于所述第一邊緣側(cè)(8)并且橫向于第二邊緣側(cè)(18)定向的條帶(14)來劃分。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開口(12)劃分成設置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)和與其分離的設置在所述漏極區(qū)域(5)之上的部分(16)，并且所述設置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)在平行于所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)伸展的方向上具有下述尺寸，所述尺寸在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中比在距所述第一邊緣側(cè)(8)一定間距時小。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或9所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開口(12)劃分成設置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)和與其分離的設置在所述漏極區(qū)域(5)之上的部分(16)，并且所述設置在所述漏極區(qū)域(3)之上的部分(16)在平行于所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)伸展的方向上具有下述尺寸(K，L)，所述尺寸在所述第一邊緣側(cè)(8)的直線延長上比在所述第一邊緣側(cè)(8)的直線延長之間的區(qū)域中小。