[發明專利]引線框架和使用該引線框架制造的半導體封裝件

有效

• 申請號: 201280061073.0
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN103988301B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 白城官;申東逸;樸世喆
• 申請（專利權）人: 海成帝愛斯株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,譚昌馳

1.一種引線框架，所述引線框架包括：

基體材料；

第一金屬層，形成在基體材料的至少一個表面上，第一金屬層包括鎳；

第二金屬層，形成在第一金屬層的表面上，第二金屬層包括鈀；以及

第三金屬層，形成在第二金屬層的表面上，第三金屬層包括銀。

2.根據權利要求1所述的引線框架，其中，第三金屬層的厚度比第二金屬層的厚度薄。

3.根據權利要求2所述的引線框架，其中，第三金屬層包括銀鈀合金。

4.根據權利要求1所述的引線框架，所述引線框架還包括形成在第三金屬層的表面上的第四金屬層，第四金屬層包括銀鈀合金。

5.根據權利要求4所述的引線框架，其中，第三金屬層的厚度比第二金屬層的厚度厚。

6.根據權利要求4所述的引線框架，其中，第四金屬層的銀鈀合金的鈀含量是大約5原子％至大約50原子％或大約4.4重量％至大約46重量％。

7.根據權利要求1所述的引線框架，其中，基體材料的表面被改性為粗糙的。

8.根據權利要求1所述的引線框架，所述引線框架還包括位于基體材料與第一金屬層之間的改性層，所述改性層的表面被改性為粗糙的。

9.根據權利要求1所述的引線框架，其中，第一金屬層包括鎳合金。

10.根據權利要求1所述的引線框架，其中，第二金屬層包括鈀合金。

11.根據權利要求10所述的引線框架，其中，第二金屬層由鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉬(Mo)、釕(Ru)、錫(Sn)和銦(In)中的至少一種與鈀合金構成。

12.根據權利要求1所述的引線框架，所述引線框架還包括形成在最外面的金屬層的表面上的有機膜層。

13.根據權利要求3或4所述的引線框架，其中，金(Au)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鉬(Mo)、釕(Ru)、錫(Sn)和銦(In)中的至少一種被添加到所述銀鈀合金中。

14.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

引線框架，包括基體材料、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，所述基體材料包括裸片置盤和引線部，第一金屬層形成在基體材料的至少一個表面上，第一金屬層包括鎳，第二金屬層形成在第一金屬層的表面上，第二金屬層包括鈀，第三金屬層形成在第二金屬層的表面上，第三金屬層包括銀，第四金屬層形成在第三金屬層的表面上，第四金屬層包括銀鈀合金；

半導體芯片，接合到裸片置盤；以及

多條接合線，將半導體芯片連接到引線部。

15.根據權利要求14所述的半導體封裝件，其中，第四金屬層的銀鈀合金的鈀含量是大約5原子％至大約50原子％或大約4.4重量％至大約46重量％。

16.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

引線框架，包括基體材料、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層，所述基體材料包括裸片置盤和引線部，第一金屬層形成在基體材料的至少一個表面上，第一金屬層包括鎳，第二金屬層形成在第一金屬層的表面上，第二金屬層包括鈀，第三金屬層形成在第二金屬層的表面上，第三金屬層包括銀和從第二金屬層擴散的鈀；

半導體芯片，接合到裸片置盤；以及

多條接合線，將半導體芯片連接到引線部。

17.根據權利要求16所述的半導體封裝件，其中，第三金屬層的厚度比第二金屬層的厚度薄。

18.根據權利要求15所述的半導體封裝件，其中，第三金屬層包括銀鈀合金和從第二金屬層擴散的鈀。