[發明專利]太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201280060746.0 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN104011874A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 孫元一;沈油枃;金義德 | 申請(專利權)人: | 韓化石油化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;李海明 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池,其包括:
第一導體型基板;
第二導體型發射極層,其位于所述基板上并且具有第一開口;
減反射膜,其位于所述發射極層上,并且具有與所述第一開口相通的第二開口;
第一電極,其填充所述第一開口,并且包含磷和硅化鎳;
第二電極,其形成在所述第一電極上,填充所述第二開口并且包含磷和鎳;
正面電極,其形成在所述第二電極上;和
反面電極,其位于所述基板的背面上。
2.根據權利要求1所述的太陽能電極,其中,利用P型雜質摻雜所述基板,以及利用N-型雜質摻雜所述發射極層。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述發射極層具有60至120Ω/平方的表面電阻。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述發射極層具有100至500nm的厚度。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述減反射膜具有選自氮化硅膜、包含氫的氮化硅膜、氮氧化硅膜、MgF2膜、ZnS膜、TiO2膜和CeO2膜中的任一種的單層或者其中結合了選自上述單層中的兩層或更多層的多層。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述發射極層包含磷作為雜質,以及所述第一電極包含比所述發射極層更高濃度的磷。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述正面電極包含銀(Ag)。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述反面電極包含鋁。
9.一種用于制備太陽能電池的方法,其包括如下步驟:
在第一導體型基板的上部上形成第二導體型發射極層;
在所述發射極層的上部上形成減反射膜;
除去部分的所述減反射膜和發射極層以形成暴露部分發射極層的第一開口和與所述第一開口相通且暴露部分減反射膜的第二開口;
在所述第一開口和第二開口中絲網印刷包含磷摻雜的鎳納米顆粒的膏,并加熱它以分別在所述第一開口和第二開口中形成第一電極和第二電極;
在所述第二電極上絲網印刷銀膏,并加熱它以形成正面電極;和
在所述基板的背面上印刷鋁膏,并加熱它以形成反面電極。
10.根據權利要求9所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,基于100重量份的所述膏,所述包含磷摻雜的鎳納米顆粒的膏包含60至95重量份的磷摻雜的納米顆粒,1至20重量份的粘合劑和1至20重量份的溶劑。
11.根據權利要求10所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述磷摻雜的鎳納米顆粒具有5至200nm的平均粒徑。
12.根據權利要求10所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,基于所述鎳納米顆粒的總重量,所述磷摻雜的鎳納米粒子包含1至20wt%量的磷。
13.根據權利要求10所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述粘合劑為選自:通過共聚不飽和羧酸和具有不飽和雙鍵的化合物得到的含羧基的光敏樹脂、通過將烯屬不飽和基團作為側鏈加入不飽和羧酸和具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物中得到的含羧基的光敏樹脂,和通過使具有不飽和雙鍵的酸酐和具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物與具有羥基和不飽和雙鍵的化合物反應得到的含羧基的光敏樹脂中的一種或多種。
14.根據權利要求10所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述溶劑為選自α-萜品醇、二甘醇一丁醚乙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯、丁基甲醇和二丙二醇單甲醚。
15.根據權利要求9所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述銀膏不包含玻璃粉。
16.根據權利要求9所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述鋁膏包含鋁、石英二氧化硅和粘合劑。
17.根據權利要求9所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,通過激光燒蝕形成所述第一開口和第二開口。
18.根據權利要求9所述的用于制備太陽能電池的方法,其中,所述發射極層具有60至120Ω/平方的表面電阻,和100至500nm的厚度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓化石油化學株式會社,未經韓化石油化學株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280060746.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





