[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池及太陽(yáng)能電池模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280060665.0
• 申請(qǐng)日: 2012-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103988317B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李東根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0465
• 分類號(hào): H01L31/0465;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11327
• 代理人: 許向彤,陳英俊

1.一種太陽(yáng)能電池模塊，包括：

第一太陽(yáng)能電池，其包括順序形成在支撐基板上的第一背電極、第一光吸收部和第一前電極；

第二太陽(yáng)能電池，其包括順序形成在所述支撐基板上的第二背電極、第二光吸收部和第二前電極；以及

連接線，設(shè)置在所述第一太陽(yáng)能電池和所述第二太陽(yáng)能電池之間以將所述第一前電極和所述第二背電極電連接，

其中，所述第一背電極和所述第二背電極被第一凹槽隔開(kāi)，

其中，所述第一光吸收部和所述第二光吸收部被第二凹槽隔開(kāi)，且所述第一前電極和所述第二前電極被所述第二凹槽隔開(kāi)，

其中，所述第一前電極與所述連接線一體形成，

其中，所述連接線包括：

在所述第一背電極和所述第二背電極之間的第一連接區(qū)；以及

在所述第一前電極和所述第二前電極之間的第二連接區(qū)，

其中，所述連接線的寬度隨著到所述支撐基板的距離的增大而減小，

其中，所述連接線設(shè)置在所述第二凹槽以及所述第一凹槽與所述第二凹槽的交疊區(qū)中，

其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽交疊，

其中，所述第一連接區(qū)的寬度大于所述第二連接區(qū)的寬度，

其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的所述交疊區(qū)的寬度大于所述第一背電極或所述第二背電極與所述連接線之間的間隔區(qū)域的寬度，

其中，所述連接線與在所述第二凹槽中的所述第一光吸收部的側(cè)面、所述第一前電極的側(cè)面、所述第二背電極的側(cè)面和所述第二背電極的上側(cè)直接接觸，

其中，所述連接線與在所述第二凹槽中的所述第二光吸收部的側(cè)面和所述第二前電極的側(cè)面隔開(kāi)，

其中，所述連接線通過(guò)所述第一光吸部的一部分與所述第一背電極隔開(kāi)。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池模塊，其中，所述第一太陽(yáng)能電池和所述第二太陽(yáng)能電池彼此相鄰排列。

3.如權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池模塊，其中，所述第一連接區(qū)與所述第二連接區(qū)一體形成。

4.一種太陽(yáng)能電池模塊的制造方法，該方法包括：

在支撐基板上形成包括第一凹槽的背電極層；

在所述背電極層上形成光吸收層；

在所述光吸收層上形成前電極層；

穿過(guò)所述光吸收層和所述前電極層形成第二凹槽，使得所述第二凹槽與所述第一凹槽交疊；以及

在所述第一凹槽上和所述第二凹槽上形成連接線，

其中，所述第一凹槽將所述背電極層隔開(kāi)為第一背電極和第二背電極，

其中，所述第二凹槽將所述光吸收層隔開(kāi)為第一光吸收層和第二光吸收層，并且所述第二凹槽也將所述前電極層隔開(kāi)為第一前電極和第二前電極，

其中，所述前電極層與所述連接線一體形成，

其中，通過(guò)進(jìn)行濺射過(guò)程并改變?yōu)R射裝置的傾斜角形成所述前電極層和所述連接線，

其中，所述光吸收層設(shè)置在所述背電極層的上表面上和所述背電極層的一個(gè)側(cè)面上，

其中，所述連接線包括：

與所述背電極層的一個(gè)側(cè)面隔開(kāi)的第一連接區(qū)；以及

與所述前電極層的一個(gè)側(cè)面直接接觸的第二連接區(qū)，

其中，所述連接線的寬度隨著到所述支撐基板的距離的增大而減小,

其中，所述連接線設(shè)置在所述第二凹槽以及所述第一凹槽與所述第二凹槽的交疊區(qū)中，

其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽交疊，

其中，所述第一連接區(qū)的寬度大于所述第二連接區(qū)的寬度，

其中，所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的所述交疊區(qū)的寬度大于所述背電極層與所述連接線之間的間隔區(qū)域的寬度，

其中，所述連接線與在所述第二凹槽中的所述第一光吸收層的側(cè)面、所述第一前電極的側(cè)面、所述第二背電極的側(cè)面和所述第二背電極的上側(cè)直接接觸，

其中，所述連接線與在所述第二凹槽中的所述第二光吸收層的側(cè)面和所述第二前電極的側(cè)面隔開(kāi)，

其中，所述連接線通過(guò)所述第一光吸層的一部分與所述第一背電極隔開(kāi)。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一凹槽的寬度在50μm到150μm的范圍內(nèi)。

6.如權(quán)利要求4或5所述的方法，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽之間的所述交疊區(qū)的寬度在20μm到80μm的范圍內(nèi)。