[發(fā)明專(zhuān)利]光隔離器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280060030.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104145209A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 矢作晃;渡邊聰明;牧川新二
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G02B27/28
• 分類(lèi)號(hào): G02B27/28
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇;王博

1.一種光隔離器，其用于320nm～633nm波長(zhǎng)帶，上述光隔離器的特征在于，包括：波長(zhǎng)405nm中的費(fèi)爾德常數(shù)為0.70分鐘/(Oe·cm)以上的法拉第轉(zhuǎn)子；以及第1中空磁鐵與第2中空磁鐵單元及第3中空磁鐵單元，上述第1中空磁鐵配置于上述法拉第轉(zhuǎn)子的外周，上述第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元是在光軸上夾著上述第1中空磁鐵而配置，

上述第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元包含相對(duì)于上述光軸而在90度方向上等分割的2個(gè)以上的磁鐵，對(duì)上述法拉第轉(zhuǎn)子施加的磁通密度B(Oe)處于下述式(1)的范圍內(nèi)，配置上述法拉第轉(zhuǎn)子的樣品長(zhǎng)L(cm)處于下述式(2)的范圍內(nèi)。

0.8×10⁴≦B≦1.5×10⁴???(1)

0.25≦L≦0.45???(2)

2.如權(quán)利要求1所述的光隔離器，其中，上述法拉第轉(zhuǎn)子含有95重量％以上的下述式(I)所表示的氧化物.。

Yb₂O₃???(I)

3.如權(quán)利要求2所述的光隔離器，其中上述氧化物為單晶體。

4.如權(quán)利要求2所述的光隔離器，其中，上述氧化物為陶瓷。

5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的光隔離器，其中,上述法拉第轉(zhuǎn)子在樣品長(zhǎng)L(cm)中具有1dB以下的插入損耗與30dB以上的消光比。

6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的光隔離器，其中上述第1中空磁鐵與上述第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元包含釹-鐵-硼(NdFeB)系磁鐵。

7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的光隔離器，其中將上述第1中空磁鐵的磁場(chǎng)極性設(shè)為光軸方向，使上述第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元的磁場(chǎng)極性在光軸法線方向上彼此相反。

8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的光隔離器，其中第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元是將圓筒磁鐵按90度四分割的4塊磁鐵的集合體。

9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的光隔離器，還包括：

2片以上的平板雙折射結(jié)晶及1片以上的45度旋光元件。

10.如權(quán)利要求9所述的光隔離器，其中上述平板雙折射結(jié)晶的光學(xué)軸相對(duì)于光軸為大致45度方向，且厚度為1.0cm以上。

11.如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的光隔離器，其中上述第1中空磁鐵、上述第2中空磁鐵單元及上述第3中空磁鐵單元被搭載于碳鋼框體的內(nèi)部。