[發明專利]太陽能電池和太陽能電池的制造方法無效
| 申請號: | 201280059996.2 | 申請日: | 2012-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN103975444A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 椎野修;沖野賢司;吉川雅人;宮野真理;中村智;山本由紀子 | 申請(專利權)人: | 株式會社普利司通 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,其由第一電極層、半導體層和第二電極層層疊而構成,其中,
所述第一電極層設置在所述半導體層的光照射面側上,
所述第一電極層和所述半導體層通過肖特基接合界面接合在一起,
所述第二電極層設置在所述半導體層的光照射面的對側上,
所述第二電極層和所述半導體層通過歐姆接觸接合在一起,和
所述第一電極層包含可見光吸收材料。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述可見光吸收材料為硅微粒。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中所述硅微粒經受終止處理。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中所述第一電極層由導電性高分子形成。
5.一種太陽能電池的制造方法,其包括下述步驟:
將包括可見光吸收材料的第一導電性高分子施涂至半導體層的光照射面側;
將第二導電性高分子施涂至所述第一導電性高分子的光照射面側;和
在所述半導體層的光照射面的對側上形成電極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





