[發明專利]半導體晶片加工用粘合片及使用了該粘合片的半導體晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201280059971.2
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103975421A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 富永知親;阿久津高志
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09J7/02;C09J201/02;H01L21/301
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 劉宗杰;鞏克棟

1.一種晶片加工用粘合片，具有基材和形成于該基材上的粘合劑層，

該粘合劑層包含粘附性高分子(A)及直鏈狀分子貫穿至少2個環狀分子的開口部且在所述直鏈狀分子的兩個末端具有封端基而成的聚輪烷(B)，粘附性高分子(A)與聚輪烷(B)的環狀分子結合而形成交聯結構。

2.根據權利要求1所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘附性高分子(A)具有反應性官能團，所述環狀分子具有反應性官能團，并且形成所述粘附性高分子(A)的反應性官能團與所述環狀分子的反應性官能團直接或間接地結合而成的交聯結構。

3.根據權利要求1或2所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘合劑層的25℃下的儲能彈性模量為2.5MPa以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的晶片加工用粘合片，其中，

切割為25mm寬度的狀態下的、從硅晶片鏡面剝離時的粘附力為5000mN/25mm以下。

5.根據權利要求2～4所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘附性高分子(A)和聚輪烷(B)所具有的各自的反應性官能團借助具有能夠與所述粘附性高分子(A)的反應性官能團反應的交聯性基團及能夠與所述聚輪烷(B)反應的交聯性基團的交聯劑(C)結合，形成交聯結構。

6.根據權利要求5所述的晶片加工用粘合片，其中，

具有如下的粘合劑層，即，

所述粘附性高分子(A)的反應性官能團和聚輪烷(B)的反應性官能團是相同的官能團，

在將粘附性高分子(A)所具有的反應性官能團的數目設為1時，

聚輪烷(B)所具有的反應性官能團的數目的相對比α和交聯劑(C)所具有的交聯性基團的數目的相對比β滿足1+α－β≤1.5的關系。

7.根據權利要求5或6所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘附性高分子(A)和聚輪烷(B)的反應性官能團為羥基，所述交聯劑(C)的交聯性基團為異氰酸酯基。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘合劑層的設為1mm的厚度時的斷裂伸長率為100％以上。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的晶片加工用粘合片，其中，

所述粘合劑層的凝膠百分率為90％以上。

10.一種半導體晶片的加工方法，在權利要求1～9中任一項所述的晶片加工用粘合片的粘合劑層上，貼附表面形成有電路的半導體晶片的電路表面，進行所述半導體晶片的背面加工。

11.根據權利要求10所述的半導體晶片的加工方法，其中，

所述半導體晶片的背面加工為背面研磨。

12.一種半導體晶片的加工方法，在權利要求1～9中任一項所述的晶片加工用粘合片的粘合劑層上，貼附表面形成有電路的半導體晶片，進行所述半導體晶片的劃片。

13.一種半導體芯片的制造方法，包括如下的工序，即，由形成了具有凸塊的電路的半導體晶片表面形成比該晶片厚度淺的刻入深度的槽，在所述電路形成面，貼附權利要求1～9中任一項所述的粘合片，其后通過進行所述半導體晶片的背面研磨而減小晶片的厚度，并且最終分割為各個芯片，并拾取芯片。

14.一種半導體晶片加工用粘合片，是具有基材和形成于該基材的一面的粘合劑層的半導體晶片加工用粘合片，

所述粘合劑層的厚度為100～300μm，

所述粘合劑層形成為以下的粘附性高分子(A)及聚輪烷(B)借助交聯劑(C)結合而成的交聯結構，

所述粘附性高分子(A)和聚輪烷(B)具有相同的反應性官能團，在將所述粘附性高分子(A)所具有的反應性官能團的數目設為1時，

所述聚輪烷(B)所具有的反應性官能團的數目的相對比α與所述交聯劑(C)所具有的交聯性基團的數目的相對比β滿足1+α－β≤0.8的關系，

其中，所述粘附性高分子(A)具有反應性官能團，

所述聚輪烷(B)是直鏈狀分子在至少2個環狀分子的開口部中貫穿而成的。

15.根據權利要求14所述的半導體晶片加工用粘合片，其中，

所述粘合劑層的凝膠百分率為40％以上。