[發明專利]通過使用聚合物掩模的選擇性沉積

無效

• 申請號: 201280059809.0
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103959434A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: M.S.伯貝里;D.H.萊維
• 申請（專利權）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/36;H01L21/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張萍;李炳愛

1.形成圖案化薄膜的沉積方法，其包括：

將包含沉積抑制劑材料的組合物施加到接收基底上，

與所述施加步驟同時或在所述施加步驟后，圖案化所述沉積抑制劑材料以提供所述接收基底上其中不存在所述沉積抑制劑材料的所選區域，并

僅在其中不存在所述沉積抑制劑材料的那些區域中通過化學氣相沉積在所述接收基底上沉積無機薄膜，

其中所述沉積抑制劑材料是包含下列結構（I）表示的重復單元的聚合物：

（I）

其中R¹是氫、烷基或如對R²所定義的基團，并且

R²是氰基、異氰酸根、疊氮基、磺酰基、硝基、磷酸基（phosphoric）、膦酰基、雜芳基或–C(=X)-R³，其中X是氧、硫或N⁺(R)₂，R³是R、OR、OM⁺、OC(=O)OR、SR、NHC(=O)R、NHC(=O)N(R)₂、N(R)₂或N⁺(R)₃，M⁺是堿金屬陽離子或銨陽離子，并且R是氫、鹵素或烷基或環烷基。

2.根據權利要求1所述的沉積方法，其中所述沉積抑制劑材料是包含結構（I）所表示的重復單元的氰基丙烯酸酯聚合物，其中R是氫或烷基或氰基，并且R¹與R²的至少一個是氰基。

3.根據權利要求1所述的沉積方法，其中所述沉積抑制劑材料是包含結構（I）所表示的重復單元的氰基丙烯酸酯聚合物，其中R¹是氫或具有1至8個碳原子的烷基，并且R²是氰基。

4.根據權利要求1所述的沉積方法，其中所述沉積抑制劑材料是包含至少兩種不同的結構（I）表示的重復單元的氰基丙烯酸酯聚合物。

5.根據權利要求1所述的沉積方法，其中所述沉積抑制劑材料是以總聚合物重復單元的至少1摩爾%和最多100摩爾%的量包含相同或不同的結構（I）表示的重復單元的氰基丙烯酸酯聚合物。

6.根據權利要求1所述的沉積方法，其中所述沉積抑制劑材料是以至少1重量%和最多并包括100重量%的量包含相同或不同的結構（I）表示的重復單元的氰基丙烯酸酯聚合物。

7.根據權利要求1所述的沉積方法，其包括通過原子層沉積在所述接收基底上沉積所述無機薄膜。

8.根據權利要求1所述的沉積方法，其包括通過由包含熱轉印層的供體元件熱轉印，在所述接收基底上圖案化包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物，所述熱轉印層含有包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物。

9.根據權利要求7所述的沉積方法，其包括通過由供體元件熱轉印在所述接收基底上圖案化包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物，在其期間所述供體元件與所述接收基底直接接觸或間隔最多并包括50微米。

10.根據權利要求8所述的沉積方法，其包括使用聚焦激光能量通過由供體元件熱轉印在所述接收基底上圖案化包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物。

11.根據權利要求8所述的沉積方法，其包括通過由包含輻射吸收劑的供體元件熱轉印在所述接收基底上圖案化包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物。

12.根據權利要求8所述的沉積方法，其包括由供體元件熱轉印在所述接收基底上圖案化所述沉積抑制劑材料，所述供體元件在所述供體元件中的包含所述沉積抑制劑材料的熱轉印層與供體基底之間的中間層中包含輻射吸收劑。

13.根據權利要求12所述的沉積方法，其包括由供體元件熱轉印在所述接收基底上圖案化所述沉積抑制劑材料，所述供體元件在包含所述沉積抑制劑材料的熱轉印層中包含紅外輻射吸收劑。

14.根據權利要求1所述的沉積方法，其包括在所述接收基底上涂布包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物，接著通過熱燒蝕圖案化所述涂布的沉積抑制劑材料。

15.根據權利要求1所述的沉積方法，其包括在所述基底上涂布包含所述沉積抑制劑材料的所述組合物，接著使用聚焦激光通過熱燒蝕圖案化所述涂布的沉積抑制劑材料。