[發(fā)明專利]用于制造半導體激光器器件的方法及半導體激光器器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280059413.6
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN103959579A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 濱口達史;高木慎平
• 申請（專利權）人: 索尼公司;住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01L21/301;H01S5/343
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種制造半導體激光器器件的方法，所述方法包括：

在具有半極性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半導體基板上制備生產基板，所述生產基板具有包括所述半導體激光器器件的發(fā)光層的外延層；

在所述生產基板的表面的局部區(qū)域上形成切割導向槽，所述局部區(qū)域位于所述半導體激光器器件的共振器端面?zhèn)鹊膭澗€上并且包括所述半導體激光器器件的一個或多個拐角，并且在沿著所述劃線的延伸方向上形成所述切割導向槽，并且當從所述延伸方向觀看時所述切割導向槽的橫截面呈V型；以及

沿著所述劃線切割形成有所述切割導向槽的所述生產基板。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述六方晶系Ⅲ族氮化物半導體基板是具有半極性平面的半導體基板，在所述半極性平面中，通過以大約60至90度范圍內的角度將c軸向m軸傾斜后的軸的方向是法線方向。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述半極性平面以通過將所述c軸向所述m軸傾斜大約75度后的軸的方向為法線方向。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，形成所述切割導向槽，在所述切割導向槽中，在兩個側壁表面中的一個上露出c平面，所述兩個側壁表面限定出所述切割導向槽并且形成在沿著所述切割導向槽的所述延伸方向的方向上。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，形成所述切割導向槽，在所述切割導向槽中，所述側壁表面中的一個在槽寬度方向上的寬度與所述側壁表面中的另一個在所述槽寬度方向上的寬度之間的比率從1:1的比率偏移。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其中，形成所述切割導向槽，在所述切割導向槽中，當從所述生產基板的表面觀看時，所述切割導向槽的尖端在所述延伸方向上呈V型，通過兩個前端側壁面限定出所述尖端，所述兩個前端側壁面中的一個連續(xù)地形成為所述側壁表面中的一個，所述兩個前端側壁面中的另一個連續(xù)地形成為所述側壁表面中的另一個，并且所述兩個前端側壁面中的一個在所述槽寬度方向上的寬度與所述兩個前端側壁面中的另一個在所述槽寬度方向上的寬度之間的比率從1:1的比率偏移。

7.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，形成在a軸方向上延伸的所述切割導向槽。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，通過干法蝕刻形成所述切割導向槽。

9.一種半導體激光器器件，包括：

半導體基體，由六方晶系Ⅲ族氮化物半導體形成并且具有半極性平面；

外延層，包括形成激光束的光波導的發(fā)光層，并且所述外延層形成在所述半導體基體上；

形成在所述外延層上的電極；以及

在包括激光器結構的共振器端面的一個或多個拐角的局部區(qū)域中形成的斜面部分，所述激光器結構包括所述半導體基體和所述外延層，所述一個或多個拐角位于所述外延層側，所述共振器端面正交于所述激光束的傳播方向，并且所述斜面部分向所述激光器結構的表面傾斜，所述表面位于所述外延層側。

10.一種通過方法制造的半導體激光器器件，所述方法包括：

在具有半極性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半導體基板上制備生產基板，所述生產基板具有包括半導體激光器器件的發(fā)光層的外延層；

在所述生產基板的表面的局部區(qū)域中形成切割導向槽，所述局部區(qū)域位于所述半導體激光器器件的共振器端面?zhèn)鹊膭澗€上并且包括所述半導體激光器器件的一個或多個拐角，并且在沿著所述劃線的延伸方向上形成所述切割導向槽并且當從延伸方向看時所述切割導向槽的橫截面呈V型；以及

沿著所述劃線切割形成有所述切割導向槽的所述生產基板。