[發明專利]硫化氫分離方法及裝置以及使用該裝置的氫制造系統

有效

• 申請號: 201280058498.6
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103958029A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 中元崇;村岡利紀;岡島重伸;熊田憲彥;廣川雅俊;莊司恭敏
• 申請（專利權）人: 川崎重工業株式會社
• 主分類號: B01D53/14
• 分類號: B01D53/14;C01B3/56;C01B17/16;C01B31/20
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

1.一種硫化氫分離方法，是包含：

使含有硫化氫和二氧化碳的被處理氣體與在多孔性物質中負載有胺化合物的硫化氫吸附材料接觸而選擇性地吸附硫化氫的吸附過程；和

通過加熱該吸附后的硫化氫吸附材料以此使硫化氫脫附的脫附過程的硫化氫分離方法；

所述胺化合物是叔胺，并且通過使所述吸附過程中的所述硫化氫吸附材料和所述被處理氣體之間的接觸在干燥狀態下進行，以此僅選擇性地分離硫化氫。

2.根據權利要求1所述的硫化氫分離方法，其特征在于，所述叔胺是叔烷醇胺。

3.一種硫化氫分離裝置，是使用在多孔性物質上負載有胺化合物的硫化氫吸附材料，從含有硫化氫和二氧化碳的被處理氣體中選擇性地分離硫化氫的硫化氫分離裝置，具備：

填充有所述硫化氫吸附材料的吸附材料填充塔；

通過向該吸附材料填充塔供給所述被處理氣體，以此使所述硫化氫吸附材料和所述被處理氣體接觸的供氣單元；和

將用于從吸附硫化氫后的所述硫化氫吸附材料中脫附硫化氫的加熱氣流供給至所述吸附材料填充塔的加熱氣流供給單元；

所述胺化合物是叔胺，并且在所述吸附材料填充塔中的所述硫化氫吸附材料和所述被處理氣體之間的接觸在干燥狀態下進行。

4.一種硫化氫分離裝置，是使用在多孔性物質上負載有胺化合物的硫化氫吸附材料，從含有硫化氫和二氧化碳的被處理氣體中選擇性地分離硫化氫的硫化氫分離裝置，具備：

填充有所述硫化氫吸附材料的多個吸附材料填充塔；

通過向該多個吸附材料填充塔分別供給所述被處理氣體，以此使所述硫化氫吸附材料和所述被處理氣體接觸的多個供氣單元；和

將用于從吸附硫化氫后的所述硫化氫吸附材料中脫附硫化氫的加熱氣流分別供給至所述吸附材料填充塔的多個加熱氣流供給單元；

所述胺化合物是叔胺，并且在各個所述吸附材料填充塔中的所述硫化氫吸附材料和所述被處理氣體之間的接觸在干燥狀態下進行；

從所述供氣單元向所述多個吸附材料填充塔中的一部分分別供給所述被處理氣體而進行硫化氫的選擇性吸附，與此同時從所述加熱氣流供給單元向所述多個吸附材料填充塔中的另一部分分別供給加熱氣流而進行硫化氫的脫附。

5.根據權利要求3所述的硫化氫分離裝置，其特征在于，所述叔胺是叔烷醇胺。

6.根據權利要求4所述的硫化氫分離裝置，其特征在于，所述叔胺是叔烷醇胺。

7.一種氫制造系統，是用于以含有硫化氫和二氧化碳及氫氣的原料氣體作為被處理氣體，并且由該原料氣體制造氫氣的氫制造系統，具備：

從所述原料氣體選擇性地分離硫化氫的、權利要求3所述的硫化氫分離裝置；

設置于該硫化氫分離裝置的下游并從去除了硫化氫的氣體中分離二氧化碳的二氧化碳分離裝置；和

設置于二氧化碳分離裝置的下游并從去除了硫化氫及二氧化碳的氣體中分離氫氣的氫提純裝置。

8.一種氫制造系統，是用于以含有硫化氫和二氧化碳及氫氣的原料氣體作為被處理氣體，并且由該原料氣體制造氫氣的氫制造系統，具備：

從所述原料氣體選擇性地分離硫化氫的、權利要求4所述的硫化氫分離裝置；

設置于該硫化氫分離裝置的下游并從去除了硫化氫的氣體中分離二氧化碳的二氧化碳分離裝置；和

設置于二氧化碳分離裝置的下游并從去除了硫化氫及二氧化碳的氣體中分離氫氣的氫提純裝置。

9.根據權利要求7所述的氫制造系統，其特征在于，所述硫化氫分離裝置和所述二氧化碳分離裝置配置在高壓的氣體處理生產線上。

10.根據權利要求8所述的氫制造系統，其特征在于，所述硫化氫分離裝置和所述二氧化碳分離裝置配置在高壓的氣體處理生產線上。

11.一種氫制造系統，是用于以含有硫化氫和二氧化碳及氫氣的原料氣體作為被處理氣體，并且由該原料氣體制造氫氣的氫制造系統，具備：

從所述原料氣體分離硫化氫及二氧化碳的二氧化碳分離裝置；

設置于二氧化碳分離裝置的下游并從去除了硫化氫及二氧化碳的氣體中分離氫氣的氫提純裝置；和

設置于二氧化碳分離裝置的下游并從含有在所述二氧化碳分離裝置中被分離的硫化氫及二氧化碳的氣體中選擇性地分離硫化氫的、權利要求3所述的硫化氫分離裝置。