[發明專利]吸收二氧化碳的方法和設備

在審

• 申請號: 201280058464.7
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN104105537A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: M.杜斯
• 申請（專利權）人: 蘇舍化學技術有限公司
• 主分類號: B01D53/14
• 分類號: B01D53/14;B01D53/18;B01J19/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄧雪萌;何逵游

1.一種以降低的氣溶膠形成風險在吸收設備中執行從包含二氧化碳的流的二氧化碳吸收的方法，其中吸收設備包含下列部分，按設備容器的從底部到頂部的順序列出：

至少一個二氧化碳吸收部分；

“一次通過”洗滌部分；

冷卻部分；

其中沒有液體分離器位于二氧化碳吸收部分與洗滌部分之間，

并且其中所述方法包括下列步驟：

（i）使包含二氧化碳的氣流經過二氧化碳吸收部分，從而通過使用溶劑吸收二氧化碳，來形成包含溶劑和二氧化碳含量減少的凈化的氣流，

（ii）使凈化的氣流經過“一次通過”洗滌部分，其利用來自“一次通過”洗滌部分上方的冷卻部分的冷凝水操作并且可選擇地利用備用水操作，來形成溶劑含量減少的凈化的且洗滌過的氣流，

（iii）將凈化的且洗滌過的氣流供給進入冷卻部分來冷卻凈化的且洗滌過的氣流，并且使水冷凝來形成水冷凝物，

（iv）從冷卻部分抽取水冷凝物，

（v）循環（泵循環回流）一部分抽取的水冷凝物，使其回到冷卻部分，

（vi）將抽取的水冷凝物的剩余部分供給進入洗滌部分，

并且其中在步驟（iv）中從冷卻部分抽取的水冷凝物的全部或者僅循環部分被冷卻。

2.根據權利要求1所述的方法，其中沒有液體收集器位于二氧化碳吸收部分和洗滌部分之間。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中由所述方法產生的冷卻的、凈化的且洗滌過的氣流包含氣溶膠微滴，其中氣溶膠微滴實質上沒有溶劑，并且主要由水組成。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中二氧化碳吸收部分具有選擇性質量傳輸設備，其特征在于較低的蒸汽側熱量和質量傳輸。

5.根據權利要求4所述的方法，其中特征在于較低的蒸汽側熱量和質量傳輸的質量傳輸設備為選自下列的結構封裝：

（a）包含波紋板的結構封裝，波紋板帶有與柱軸所成的波紋角小于30度，優選地小于25度，

或者

（b）結構封裝，其具有帶有第一波紋的第一層，帶有第二波紋的第二層，由第一波紋和第二波紋形成的多個開放通道，其中通道包括第一波紋波谷，第一波紋波峰和第二波紋波峰，其中第一波紋波峰和第二波紋波峰界定第一波紋波谷，其中第一和第二波紋波峰帶有第一頂點和第二頂點，其中凸起或凹陷沿著第一頂點的方向延伸，其中如果是凸起，則凸起的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔大，并且其中如果是凹陷，則凹陷的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔小。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中溶劑為胺、氨基酸或者與二氧化碳反應的揮發性化合物的水溶液。

7.結構封裝作為用于吸收二氧化碳的設備中的二氧化碳吸收部分的部件的使用，其中結構封裝選自下列：

（a）包含波紋板的結構封裝，波紋板帶有與柱軸所成的波紋角小于30度，優選地小于25度，

或者

（b）結構封裝，其具有帶有第一波紋的第一層，帶有第二波紋的第二層，由第一波紋和第二波紋形成的多個開放通道，其中通道包括第一波紋波谷，第一波紋波峰和第二波紋波峰，其中第一波紋波峰和第二波紋波峰界定第一波紋波谷，其中第一和第二波紋波峰帶有第一頂點和第二頂點，其中凸起或凹陷沿著第一頂點的方向延伸，其中如果是凸起，則凸起的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔大，并且其中如果是凹陷，則凹陷的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔小，其特征在于用途是減小二氧化碳吸收部分的頂部區域中的氣溶膠形成的風險。

8.根據權利要求7所述的使用，其中所述使用額外地增加了在二氧化碳吸收部分的底部區域中的最大二氧化碳裝載。

9.吸收設備的使用，所述吸收設備包含下列部分，按設備容器的從底部到頂部的順序列出：

至少一個二氧化碳吸收部分；

洗滌部分；

冷卻部分；

其特征在于沒有液體分離器位于二氧化碳吸收部分與洗滌部分之間，并且其中用途是避免溶劑與水的過飽和以及氣溶膠形成的風險。

10.根據權利要求9所述的使用，其中二氧化碳吸收部分具有選擇性質量傳輸設備，其特征在于較低的蒸汽側熱量和質量傳輸。

11.根據權利要求10所述的使用，其中特征在于較低的蒸汽側熱量和質量傳輸的質量傳輸設備為結構封裝，其中所述結構封裝選自下列：

（a）包含波紋板的結構封裝，波紋板帶有與柱軸所成的波紋角小于30度，優選地小于25度，

或者

（b）結構封裝，其具有帶有第一波紋的第一層，帶有第二波紋的第二層，由第一波紋和第二波紋形成的多個開放通道，其中通道包括第一波紋波谷，第一波紋波峰和第二波紋波峰，其中第一波紋波峰和第二波紋波峰界定第一波紋波谷，其中第一和第二波紋波峰帶有第一頂點和第二頂點，其中凸起或凹陷沿著第一頂點的方向延伸，其中如果是凸起，則凸起的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔大，并且其中如果是凹陷，則凹陷的至少一點離波紋波谷的谷底的法線間隔比第一頂點離波紋波峰的第一谷底的法線間隔小。