[發明專利]玻璃基板、使用該玻璃基板的信息記錄介質以及該玻璃基板的制造方法

在審

• 申請號: 201280058230.2
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN104054130A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 島津典子
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73;C03C21/00;G11B5/84
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

技術領域

本發明涉及一種玻璃基板、使用該玻璃基板的信息記錄介質以及該玻璃基板的制造方法。更詳細地說，涉及一種耐沖擊性優良、且因離子溶出導致的后生錯誤(delayed?error)的產生頻度少的玻璃基板、使用該玻璃基板的信息記錄介質以及該玻璃基板的制造方法。

背景技術

以往，作為構成信息記錄介質的基板，廣泛使用鋁基板。然而，基于實現信息記錄介質的小型化、薄板化、高密度記錄化的觀點，與鋁基板相比表面的平滑性優良、且表面缺陷少而能夠降低磁頭懸浮量的玻璃基板受到關注(例如參照專利文獻1)。

近年來，隨著移動用途的多樣化，有對玻璃基板要求更高的耐沖擊性的趨勢。作為提高耐沖擊性的方法，有將存在于玻璃基板中的堿離子與離子半徑更大的堿離子進行離子交換的方法。具體地說，例如已知如下方法：使玻璃基板的表面在360℃左右下浸漬于含有硝酸鹽(KNO₃、NaNO₃)等的化學強化處理液來進行化學強化，形成包含離子交換層和壓縮應力層的強化層。特別是，想要通過離子交換產生強的壓縮應力，需要與具有比原來的離子更大的離子半徑的離子進行交換，例如對于含有鋰離子的玻璃基板，用含有KNO₃和NaNO₃的化學強化液進行化學強化，由此鋰離子被交換為鈉離子，鈉離子的一部分進一步被交換為鉀離子，從而能夠產生基于鉀離子的大的壓縮應力。在此，離子交換層是指在玻璃基板的表面，存在于玻璃基板的堿離子的一部分與化學強化處理液中的堿離子進行交換而形成的層，能夠通過檢測化學強化后的堿離子濃度來測定。因此，離子交換層的厚度根據檢測的堿離子而不同，在化學強化液含有鉀離子以及含鈉離子的鉀離子的情況下，有時離子交換層的厚度與由鈉離子形成的離子交換層的厚度不同。由于呈現離子半徑越大則越難以浸透至內部的特性，因此，存在由鉀離子形成的離子交換層的厚度比由鈉離子形成的離子交換層薄的傾向。另一方面，壓縮應力層是指通過化學強化處理產生壓縮應力的部分，通過以光學方式測定基于通過離子交換所產生的壓縮應力而在玻璃基板的表層產生的雙折射來求出厚度。因而，離子交換層的厚度與壓縮應力層的厚度未必一致，通常，離子交換層的厚度小于壓縮應力層的厚度。此外，稍后說明這些用語的詳細定義。通過利用該方法在玻璃基板的表面設置壓縮應力層，即使玻璃基板的表面受損傷(flaw)，也能夠對抗以損傷為基點產生的拉伸應力(tensile?stress)。其結果，損傷不會擴大，能夠防止玻璃基板的破損。

然而，在筆記本型個人計算機、移動電話、便攜型音樂播放器等便攜設備等中搭載硬盤驅動器，對所使用的信息記錄介質要求例如在使便攜設備跌落的情況下也不會損壞的高度的耐沖擊性。特別是，便攜設備有時在高溫、低溫環境下或者溫度變化非常急劇的環境下使用，因此，需要在嚴酷的溫度條件下使用之后也保持優良的跌落強度。因此，要求滿足比以往技術所能夠達到的耐沖擊性更優良的耐沖擊性的玻璃基板。

另一方面，關于為了提高玻璃基板的強度而進行的化學強化處理，在專利文獻2中公開了壓縮應力深度為50μm以上的被化學強化的玻璃基板。根據專利文獻2，通過離子交換所形成的壓縮應力層的厚度深，通常為10～150μm左右，優選為50～120μm，完全沒有提及離子交換層的厚度。

然而，已判明出存在如下情況：在如上所述那樣在非常嚴酷的溫度條件下使用時，從通過化學強化所形成的離子交換層溶出通過離子交換導入的離子，從而導致信息記錄介質的記錄層的破損，或者由于離子溶出而玻璃基板表面的壓縮應力產生不均，通過進一步被加熱而玻璃基板本身產生少許變形。特別是判明出存在如下情況：在對含有鋰離子的玻璃基板進行化學強化的情況下，鉀離子能夠產生大的壓縮應力，另一方面，在溶出的情況下局部地產生大的壓縮應力不均，因此，在玻璃基板產生大的壓縮應力不均。近年來，通過搭載DFH(Dynamic?Flying?Hight：動態浮動高度)機構，開發出500GB/張(單面250GB)這樣的記錄密度非常高的硬盤驅動器，但是在這種記錄密度高的硬盤中，少許的形狀變化、記錄層的破損會引起讀取錯誤，因此要求改善。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利公開公報特開平9-27150號

專利文獻2：日本專利公開公報特開2009-99251號

發明內容