[發明專利]在高頻范圍內作為電介質的微晶玻璃

有效

• 申請號: 201280058023.7
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN104024174B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 馬爾圖·霍夫漢尼相;馬丁·萊茨;戈登·基斯爾
• 申請（專利權）人: 肖特公開股份有限公司
• 主分類號: C03C10/00
• 分類號: C03C10/00;C03C4/16;H01B3/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 郭國清,穆德駿

1.一種電介質，其包含微晶玻璃，所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩爾％計的以下成分：

其中RE為鑭、另外的鑭系元素或釔，且其中Ti任選部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

2.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩爾％計的以下成分：

其中RE為鑭、另外的鑭系元素或釔，且其中Ti任選部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

3.根據權利要求2所述的電介質，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩爾％計的以下成分：

其中RE為鑭、另外的鑭系元素或釔，且其中Ti任選部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

4.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩爾％計的以下成分：

其中RE為鑭或另外的鑭系元素，且其中Ti任選部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

5.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃至少包含基于氧化物以摩爾％計的以下成分：

其中RE為鑭或另外的鑭系元素，且其中Ti任選部分地由Hf、Nb、V、Ta代替。

6.根據權利要求1所述的電介質，其中所述RE₂O₃含量為0.5至4.5摩爾％。

7.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含至少0.005摩爾％的熔化添加劑。

8.根據權利要求7所述的電介質，其中所述熔化添加劑為由玻璃形成組分構成的共晶體的低熔點添加劑。

9.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含0.01至最高達3摩爾％的至少一種選自As₂O₃和Sb₂O₃的澄清劑。

10.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃在頻率f>200MHz的高頻范圍內，包含不超過10^-2的介電損耗。

11.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃具有至少15的相對電容率ε。

12.根據權利要求1所述的電介質，其中共振頻率的溫度依賴度的絕對值|τ_f|不超過200ppm/K。

13.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含至少一種基于Ba、Ti、O的固溶相，其中Ba任選至少部分地由Sr、Ca、Mg代替，其中RE為鑭系元素或釔，且其中Ti任選至少部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

14.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含至少一種基于Ba、Ti、Al、O的固溶相，其中Ba任選至少部分地由Sr、Ca、Mg代替，其中RE為鑭系元素或釔，且其中Ti任選至少部分地由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

15.根據權利要求1所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含至少一種選自(BaO)_x(RE₂O₃)_y(SiO₂)_z(TiO₂)_u的固溶相，其中RE為鑭、另外的鑭系元素或釔，其中最高達10％的Ba任選由Sr、Ca、Mg代替，且其中最高達限定部分的10％的Ti任選由Zr、Hf、Nb、V、Ta代替。

16.根據權利要求1至15中的任一項所述的電介質，其中所述微晶玻璃包含BaTi₄O₉作為主要固溶相，其中Ba任選部分地由La、Ca或Sr代替，且其中Ti任選部分地由Zr、Hf、Y、Nb、V、Ta代替。