[發(fā)明專利]制造封裝裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280057764.3
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN103958394A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: L·戴爾翁;S·達(dá)拉皮亞扎;T·黑塞勒
• 申請（專利權(quán)）人: 微晶公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 雷明;吳鵬

1.布置成與另一零件(4、2)配合以形成用于部件(5)的封裝裝置(3)的元件(2、4、44、64)，包括至少部分地涂覆有金屬化部分(11、9、49、69)的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述金屬化部分包括由金屬間化合物(19、59、79)保護(hù)的至少一個金屬層(15、16、55、64)，所述金屬間化合物由熔點低于250℃的材料的未擴散部分(12’、52’、72’)所涂覆。

2.根據(jù)前述權(quán)利要求所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件為意在封閉所述封裝裝置(3)的蓋(4、44、64)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件為意在形成所述封裝裝置(3)的腔(10)的主要部分(2)。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述元件(2、4、44、64)由陶瓷或金屬形成。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所屬至少一個金屬層(15、16、55、75)包括鎳和/或銅和/或金。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述至少一個金屬層由所述元件(64)的體部形成。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述至少一個金屬層(15、16)還包括用于與所述元件(2、4)的體部粘合的粘合層(13、14)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述粘合層(13、14)包括鉬和/或鎢和/或鈦和/或鉻。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，所述金屬間化合物(19、59、79)包括金。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，熔點低于250℃的所述材料為銦。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的元件(2、4、44、64)，其特征在于，熔點低于250℃的所述材料為錫。

12.制造元件(2、4、44、64)的方法(24、26)，所述元件布置成與另一零件(4、2)配合以形成用于部件(5)的封裝裝置(3)，所述方法包括以下步驟：

a)形成所述元件(2、4、44、64)；

b)沉積金屬化部分(9、11、49、69)，該金屬化部分包括由涂層(17、18、57、75)保護(hù)的至少一個金屬層(15、16、55)；

其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

c)在所述涂層(17、18、57、75)上沉積熔點低于250℃的材料的層(12、52、72)；

d)使該熔點低于250℃的材料部分地擴散到所述涂層(17、18、57、75)中，以便完全地將所述涂層(17、18、57、75)轉(zhuǎn)變成金屬間化合物并且留下該熔點低于250℃的材料的未擴散部分(12’、52’、72’)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法(24、26)，其特征在于，所述元件(2、4、44、64)由陶瓷或金屬形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法(24、26)，其特征在于，所述至少一個金屬層(15、16、55)包括鎳和/或銅和/或金。

15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法(24、26)，其特征在于，所述至少一個金屬層由所述元件(64)的體部形成。

16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項所述的方法(24、26)，其特征在于，所述方法包括在步驟a)和步驟b)之間的一步驟，該步驟包括沉積用于所述至少一個金屬層(15、16)的粘合層(13、14、33、34)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法(24、26)，其特征在于，所述粘合層(13、14)包括鉬和/或鎢和/或鈦和/或鉻。

18.根據(jù)權(quán)利要求12至16中任一項所述的方法(24、26)，其特征在于，所述涂層(17、18、57、75)包括金。