[發明專利]半導體裝置以及電子設備

有效

• 申請號: 201280057121.9
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103946978B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 谷口清美;植田順;小野敦
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 閆小龍,徐紅燕

1.一種半導體裝置，作為常開型的第1開關有源元件和作為常關型的第2開關有源元件以進行共源共柵連接的方式安裝在導電性基板上進行密封，所述半導體裝置的特征在于，

上述第1開關有源元件具有形成在其表面的第1源極電極焊盤、第1漏極電極焊盤以及第1控制電極，

上述第2開關有源元件具有形成在其表面的第2漏極電極焊盤和第2控制電極，并且具有形成在上述第2開關有源元件中的成為與上述導電性基板的接觸面的背面的第2源極電極焊盤，

上述第1控制電極通過第1導電性引線與上述導電性基板連接，

上述第1源極電極焊盤和上述第2漏極電極焊盤配置在以能允許至少在上述導電性基板搭載上述第1開關有源元件和上述第2開關有源元件的搭載精度以及上述第1導電性引線對上述導電性基板的連接精度的最小距離靠近的位置，通過第2導電性引線進行連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述半導體裝置的俯視圖中，上述第1導電性引線形成在隱藏于上述第2導電性引線的正下方的位置。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1源極電極焊盤設置有多個，配置在相對于上述第1導電性引線對稱的位置，

上述第2導電性引線設置有與上述第1源極電極焊盤相同數量，配置在相對于上述第1導電性引線對稱的位置。

4.一種半導體裝置，作為常開型的第1開關有源元件和作為常關型的第2開關有源元件以進行共源共柵連接的方式安裝在導電性基板上進行密封，所述半導體裝置的特征在于，

第1開關有源元件具有形成在其表面的多個第1源極電極焊盤、與上述第1源極電極焊盤相同數量的第1漏極電極焊盤、以及第1控制電極，

上述第2開關有源元件具有形成在其表面的與上述第1源極電極焊盤相同數量的第2漏極電極焊盤、第2控制電極以及表面源極電極焊盤，

上述第1源極電極焊盤和上述第2漏極電極焊盤配置在以能允許至少在上述導電性基板搭載上述第1開關有源元件和上述第2開關有源元件的搭載精度的最小距離靠近的位置，

上述第1控制電極和上述表面源極電極焊盤通過第1導電性引線進行連接，

上述表面源極電極焊盤與在上述第2開關有源元件中形成在成為與上述導電性基板的接觸面的背面的第2源極電極焊盤電連接，

進而，上述第1源極電極焊盤和上述第2漏極電極焊盤以將上述第1導電性引線作為對稱軸而成為軸對稱的結構的方式配置，而且以將上述第1導電性引線作為對稱軸而成為軸對稱的結構的方式通過第2導電性引線進行連接。

5.根據權利要求1至4的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1開關有源元件是具有GaN層的場效應管，

上述第2開關有源元件是MOS型的場效應管。

6.一種電子設備，其特征在于，

具備權利要求1至5的任一項所述的半導體裝置，作為開關元件。