[發明專利]用于增加機電式保護繼電器的速度的方法及電路有效
| 申請號: | 201280057104.5 | 申請日: | 2012-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN104054152B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | M·C·賈科貝 | 申請(專利權)人: | ABB技術有限公司 |
| 主分類號: | H01H47/10 | 分類號: | H01H47/10;H01H47/32 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;張臻賢 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 增加 機電 保護 繼電器 速度 方法 電路 | ||
1.一種增加機電式繼電器的速度的方法,所述方法包括步驟:
提供具有線圈和至少一個觸頭的機電式繼電器,
提供第一電阻器和第二電阻器,每個電阻器均與所述線圈串聯,其中所述第二電阻器與第一開關并聯,
提供電壓至所述第一開關,所述第一開關導通,由此短路所述第二電阻器并且提供通過所述第一電阻器并且至所述線圈的第一電流,以將所述觸頭移動至閉合位置,以及
在一定時間量之后,關斷所述第一開關,使得提供通過所述第一電阻器和所述第二電阻器并且至所述線圈的第二電流,將所述觸頭維持在所述閉合位置。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述第一開關為金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
3.如權利要求1所述的方法,其中關斷所述第一開關的步驟包括使用第二開關。
4.如權利要求3所述的方法,其中所述第二開關為MOSFET。
5.如權利要求1所述的方法,進一步提供晶體管,使得所述第一電流為所述晶體管的Vbe除以所述第一電阻器的阻值。
6.如權利要求5所述的方法,其中所述第二電流為所述晶體管的Vbe除以所述第二電阻器的阻值加上所述第一電阻器的阻值。
7.如權利要求1所述的方法,其中所述機電式繼電器被提供作為用于保護斷路器的保護繼電器的輸出繼電器。
8.一種用于增加機電式繼電器的速度的電路結構,所述電路包括:
機電式繼電器,其具有線圈和至少一個觸頭,
第一電阻器和第二電阻器,每個電阻器均與所述線圈串聯,其中所述第二電阻器與第一開關并聯,
電壓源,其被構造并且設置為當所述第一開關導通時提供電壓至所述第一開關以短路所述第二電阻器并且提供通過所述第一電阻器并且至所述線圈的第一電流,以將所述觸頭移動至閉合位置,以及
第二開關,其被構造并且設置為關斷所述第一開關,使得提供通過所述第一電阻器和所述第二電阻器并且至所述線圈的第二電流,將所述觸頭維持在所述閉合位置。
9.如權利要求8所述的電路結構,其中所述第一開關為金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
10.如權利要求8所述的電路結構,其中所述第二開關為MOSFET。
11.如權利要求8所述的電路結構,進一步包含晶體管,并且其中所述第一電流為所述晶體管的Vbe除以所述第一電阻器的阻值。
12.如權利要求11所述的電路結構,其中所述第二電流為所述晶體管的Vbe除以所述第二電阻器的阻值加上所述第一電阻器的阻值。
13.如權利要求8所述的電路結構,其中所述機電式繼電器為保護繼電器的輸出繼電器,所述保護繼電器被構造和設置成保護斷路器。
14.如權利要求13所述的電路結構,與所述斷路器組合。
15.如權利要求8所述的電路結構,其中所述第二開關是定時電路的一部分并且被構造和設置為在所述第一開關已經導通之后的一定時間關斷所述第一開關以所述將第二電阻器短路。
16.如權利要求15所述的電路結構,其中所述定時電路包括被構造和設置為確定所述一定時間的電阻器和電容器。
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