[發明專利]去除傳導材料以在襯底中形成傳導特征

有效

• 申請號: 201280057102.6
• 申請日: 2012-10-03
• 公開（公告）號: CN103946972B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: S·薩塔德加
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 酆迅

1.一種用于形成傳導特征的方法，包括：

在襯底中形成孔，其中所述孔包括在所述孔的外邊緣上的第一槽，并且其中所述第一槽穿越所述孔的豎直尺度；

在所述襯底中形成所述孔之后，向所述孔中沉積傳導材料，使得包括所述第一槽的所述孔由所述傳導材料填充；并且

去除所述傳導材料的占據所述孔的第一縱向部分的部分，使得占據所述孔的第二縱向部分的至少一個傳導特征保留在所述襯底中，其中所述至少一個傳導特征至少部分地設置在所述第一槽內。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一槽從所述孔的中心向外延伸。

3.根據權利要求2所述的方法，其中至少部分地從所述孔的中心部分去除所述傳導材料的所述部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述孔為圓形、多邊形或者不規則形狀。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括在去除所述傳導材料的所述部分之后向所述孔中沉積電介質材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述孔包括在所述孔的外邊緣上的多個槽，所述多個槽中的每個槽穿越所述孔的豎直尺度，并且所述多個槽包括所述第一槽；并且

去除所述傳導材料的所述部分包括去除所述傳導材料的所述部分以使得多個傳導特征對應地至少部分設置于所述多個槽中。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述多個傳導特征相互物理地分離。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在所述襯底中形成所述孔包括鉆出所述孔。

9.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述孔包括中心部分和多個側部特征，其中所述多個側部特征包括所述第一槽。

10.一種具有傳導特征的裝置，包括：

襯底；

在所述襯底內限定的孔，其中所述孔包括在所述孔的外邊緣上的第一槽，并且其中所述第一槽從所述襯底的頂表面向所述襯底的底表面穿越；以及

第一傳導特征，從所述襯底的所述頂表面向所述襯底的所述底表面穿越，所述第一傳導特征通過(i)向所述孔中沉積傳導材料以使得包括所述第一槽的所述孔由所述傳導材料填充以及(ii)去除向所述襯底中的所述孔中沉積的所述傳導物質的縱向連續部分來形成，其中所述第一傳導特征至少部分地設置在所述第一槽內。

11.根據權利要求10所述的裝置，還包括從所述襯底的所述頂表面向所述襯底的所述底表面穿越的第二傳導特征，所述第二傳導特征也通過去除所述傳導物質的所述縱向連續部分來形成，其中所述第一傳導特征和所述第二傳導特征相互物理地分離。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述第一傳導特征和所述第二傳導特征是硅通孔。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中在所述第一傳導特征與所述第二傳導特征之間的距離小于20μm。

14.根據權利要求10所述的裝置，其中所述第一傳導特征的最寬橫向部分小于20μm。

15.根據權利要求10所述的裝置，其中所述傳導物質的所述縱向連續部分從所述孔的至少內部分被去除。

16.根據權利要求10所述的裝置，還包括向所述孔中沉積的電介質材料。

17.根據權利要求10所述的裝置，其中：

所述孔包括中心部分和多個側部特征；并且

所述多個側部特征包括所述第一槽。

18.根據權利要求17所述的裝置，其中所述多個側部特征為圓形、三角形或者多邊形。

19.根據權利要求10所述的裝置，其中所述孔為圓形、多邊形或者不規則形狀。