[發明專利]使用非熱等離子體和催化劑介質的氣體處理裝置和方法

在審

• 申請號: 201280056876.7
• 申請日: 2012-09-04
• 公開（公告）號: CN103974758A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 池上誠;松本貴紀;中山鶴雄;直原洋平
• 申請（專利權）人: 株式會社NBC紗綱技術
• 主分類號: B01D53/86
• 分類號: B01D53/86;A61L9/00;B01J8/02;B01J23/10;B01J23/42;B01J23/44;B01J23/52
• 代理公司: 北京瑞盟知識產權代理有限公司 11300
• 代理人: 劉昕

1.一種氣體處理裝置，包括：

待處理氣體流通的流道；

等離子體生成單元，其被設置在所述流道內，包括至少第一電極、第二電極、電介質材料和用于提供電力的電源單元，其中，由所述電源單元在所述第一電極和所述第二電極之間施加電壓以引發放電，由此生成等離子體；以及

催化劑介質，其被設置在由所述流道內的所述等離子體生成單元生成的所述等離子體所存在的位置，加速與所述待處理氣體的反應，并具有存在于無機物質上的金屬催化劑顆粒。

2.根據權利要求1所述的氣體處理裝置，其中：

所述第一電極、所述第二電極、所述電介質材料以及所述催化劑介質被依次排布在所述待處理氣體的流動方向上，并且在所述氣體的流動方向上都是可透氣的；并且

所述催化劑介質被布置在所述流道中引發放電的空間中、或者被布置在所述氣體的流動方向上的所述空間的下游側。

3.根據權利要求1所述的氣體處理裝置，其中，所述第一電極、所述第二電極、所述電介質材料以及所述催化劑介質在與所述氣體的流動方向垂直的方向上依次排布。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述催化劑介質還包括由無機材料制成的基板，至少所述金屬催化劑顆粒被固定于該基板。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述催化劑介質還包括：

無機顆粒，其表面固定有所述金屬催化劑顆粒；和

由無機材料制成的基板，所述無機顆粒被固定于該基板。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述催化劑介質填充有支持所述金屬催化劑顆粒的大量的無機顆粒。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極均為由在各自的預定方向上延伸的大量電極形成的梳齒狀電極，并且所述待處理氣體流經由所述梳齒狀電極、所述電介質材料和所述催化劑介質形成的空間。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述等離子體是無聲放電、沿面放電、電暈放電和脈沖放電的放電等離子體中的至少一種。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述金屬催化劑顆粒是由Pt、Au、CeO₂、PdO、MnO₂、CuO和Ag中的至少一種制成的。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的氣體處理裝置，其中，所述電源單元以0.5kHz以上的輸出頻率來提供電力。

11.一種氣體處理方法，包括：

通過在設置有用于加速與待處理氣體的氧化分解反應的催化劑介質的范圍內進行放電來生成等離子體；以及

使所述待處理氣體流經所述等離子體來進行氧化分解。

12.根據權利要求11所述的氣體處理方法，其中，以0.5kHz以上的輸出頻率來提供電力以引發放電，由此生成所述等離子體。