[發明專利]有機EL元件

有效

• 申請號: 201280056815.0
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN103947000A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 佐藤祐輔;西村涼;鄭旬紋
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石能源株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種有機EL元件，其特征在于，

具備：

透明支撐基板；

配置于所述透明支撐基板上，且由在表面形成有第一凹凸的凹凸層所構成的衍射光柵；以及

以形成于所述衍射光柵的表面的第一凹凸的形狀得以維持的方式，依次層疊于所述衍射光柵上的透明電極、至少具備發光層的有機層、以及金屬電極，

滿足下述條件(A)～(C)：

[條件(A)]在對使用原子力顯微鏡來分析所述第一凹凸的形狀而得到的凹凸解析圖像實施二維快速傅利葉變換處理而得到傅利葉變換圖像的情況下，所述傅利葉變換圖像顯示以波數的絕對值為0μm^-1的原點作為大致中心的圓狀或圓環狀的模樣，且所述圓狀或圓環狀的模樣存在于波數的絕對值為10μm^-1以下的范圍內的區域內，

[條件(B)]所述第一凹凸以及在所述金屬電極的與有機層相對的面的表面所形成的第二凹凸均是基于使用原子力顯微鏡來分析凹凸的形狀而得到的凹凸解析圖像所求得的凹凸的深度分布的標準偏差為15～100nm的凹凸，

[條件(C)]所述第二凹凸的深度分布的標準偏差相對于所述第一凹凸的深度分布的標準偏差的變化率為+15％～-15％。

2.如權利要求1所述的有機EL元件，其特征在于，

所述衍射光柵配置在所述透明支撐基板的一個面側，且

還具備配置在該透明支撐基板的另一個面側的光學構件。

3.如權利要求2所述的有機EL元件，其特征在于，

所述光學構件由透鏡構件所構成。

4.如權利要求1～3中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

在所述透明電極以及所述有機層中的厚度為10nm以上的各層的與所述金屬電極相對的面的表面所形成的凹凸均是凹凸的深度分布的標準偏差為15～100nm的凹凸，且凹凸的深度分布的標準偏差相對于所述第一凹凸的深度分布的標準偏差的變化率為+15％～-15％。

5.如權利要求1～4中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

在所述透明電極以及所述有機層的各層的與所述金屬電極相對的面的表面所形成的凹凸均是凹凸的深度分布的標準偏差為15～100nm的凹凸，且凹凸的深度分布的標準偏差相對于所述第一凹凸的深度分布的標準偏差的變化率為+15％～-15％。

6.如權利要求1～5中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

構成所述有機層的材料是玻璃化轉變溫度為70℃～300℃的有機材料。

7.如權利要求1～6中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

所述有機層還具備空穴輸送層和電子輸送層，且所述發光層是含有磷光材料和主體材料的層。

8.如權利要求7所述的有機EL元件，其特征在于，

所述發光層具有第一發光層和第二發光層的兩層構造，且所述第一發光層與所述第二發光層的主體材料的種類分別不同。

9.如權利要求7所述的有機EL元件，其特征在于，

構成所述空穴輸送層的材料與所述發光層的主體材料由相同材料所構成。

10.如權利要求8所述的有機EL元件，其特征在于，

構成所述空穴輸送層的材料與所述第一發光層的主體材料由相同材料所構成，且構成所述電子輸送層的材料與所述第二發光層的主體材料由相同材料所構成。

11.如權利要求7～10中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

所述發光層中的主體材料是玻璃化轉變溫度為100℃～300℃的有機材料。

12.如權利要求1～11中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

所述第一凹凸的平均高度為20～400nm的范圍。

13.如權利要求1～12中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

所述第一凹凸的平均間距為100～1500nm的范圍。

14.如權利要求1～13中的任一項所述的有機EL元件，其特征在于，

所述衍射光柵的凹凸層是無機層。