[發明專利]混合型脈沖等離子體處理系統在審
| 申請號: | 201280056187.6 | 申請日: | 2012-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN103930596A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 克倫·雅克布卡納里克;喬迪普·古哈;李源哲;付奎因;亞倫·斯科特·埃普勒 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 脈沖 等離子體 處理 系統 | ||
1.一種用于處理等離子體處理系統的等離子體處理室中的襯底的方法,所述等離子體處理室具有至少一個等離子體發生源和用于提供處理氣體進入所述等離子體處理室內部區域的至少氣體源,該方法包括:
使用具有RF頻率的RF信號激勵所述等離子體發生源;
使用至少第一源脈沖頻率向所述RF信號施加脈沖,使得所述RF信號的幅值、相位和頻率中的至少一種在與所述第一源脈沖頻率相關的RF脈沖周期的第一部分期間具有第一值并且在與所述第一源脈沖頻率相關的所述RF脈沖周期的第二部分期間具有第二值;以及
使用氣體脈沖頻率向所述氣體源施加脈沖,使得所述處理氣體在與所述氣體脈沖頻率相關的氣體脈沖周期的第一部分期間以第一速率流入所述等離子體處理室并且所述處理氣體在與所述氣體脈沖頻率相關的所述氣體脈沖周期的第二部分期間以第二速率流入所述等離子體處理室。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述等離子體處理室代表電感耦合等離子體處理室并且所述至少一個等離子體發生源代表至少一個電感天線。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述等離子體處理室代表電容耦合等離子體處理室并且所述至少一個等離子體發生源代表電極。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一源脈沖頻率高于所述氣體脈沖頻率。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述RF信號也被用不同于所述第一源脈沖頻率的第二源脈沖頻率施加了脈沖。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述使用所述第一源脈沖頻率向所述RF信號施加脈沖與所述使用所述氣體脈沖頻率向所述氣體源施加脈沖是同步的。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述使用所述第一源脈沖頻率向所述RF信號施加脈沖與所述使用所述氣體脈沖頻率向所述氣體源施加脈沖是異步的。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述氣體源施加脈沖采用恒定的占空比。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述氣體源施加脈沖采用變化的占空比。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述RF信號施加脈沖采用恒定的占空比。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述RF信號施加脈沖采用變化的占空比。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述氣體源施加脈沖采用頻率啁啾。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述向所述RF信號施加脈沖采用頻率啁啾。
14.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括在所述向所述RF信號施加脈沖和在所述向所述氣體源施加脈沖期間使用另外的脈沖頻率向與所述RF信號和所述氣體源不同的另外的參數施加脈沖。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述另外的參數代表偏置RF信號。
16.根據權利要求14所述的方法,其中所述另外的參數代表偏置DC信號。
17.根據權利要求1所述的方法,其中所述處理氣體在所述氣體脈沖周期的所述第一部分期間具有組成氣體的第一混合組成物并且在所述氣體脈沖周期的所述第二部分期間具有組成氣體的第二混合組成物,所述第一混合組成物不同于所述第二混合組成物。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述第一混合組成物中的惰性氣體與反應性氣體的比率高于所述第二混合組成物中的惰性氣體與反應性氣體的比率。
19.根據權利要求17所述的方法,其中所述第一混合組成物中的惰性氣體與反應性氣體的比率低于所述第二混合組成物中的惰性氣體與反應性氣體的比率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





