[發明專利]固體攝像裝置

有效

• 申請號: 201280056111.3
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103946982B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 森三佳;廣瀨裕;加藤剛久;坂田祐輔;益田洋司;宮川良平
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/357;H04N5/374
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 安香子,黃劍鋒

1.一種固體攝像裝置，具備被配置成矩陣狀的多個像素，所述固體攝像裝置具備：

半導體襯底；

第一電極，按每個所述像素被形成在所述半導體襯底的上方，且與相鄰的所述像素電分離；

光電轉換膜，被形成在所述第一電極上，且對光進行光電轉換，從而得到信號電荷；

第二電極，被形成在所述光電轉換膜上；

電荷積蓄區域，按每個所述像素被形成在所述半導體襯底，且與對應的像素的所述第一電極電連接，積蓄由所述光電轉換膜進行光電轉換而生成的所述信號電荷；

復位柵極電極，按每個所述像素被形成，且對所述半導體襯底的通道的形成進行控制，利用通過所述通道的電荷，將對應的像素的所述電荷積蓄區域的電位復位；

放大晶體管，按每個所述像素被形成，且對被積蓄在對應的像素的所述電荷積蓄區域中的所述信號電荷進行放大；

接觸插塞，按每個所述像素被形成，且與對應的像素的所述電荷積蓄區域接觸，并且用于使對應的像素的所述第一電極與所述電荷積蓄區域電連接；

高濃度雜質區域，被形成在所述電荷積蓄區域的表面中的、與所述接觸插塞接觸的區域，且所述高濃度雜質區域的導電型與所述電荷積蓄區域的導電型相同；

表面雜質區域，被形成在所述電荷積蓄區域的表面中的、不與所述接觸插塞接觸的區域，且所述表面雜質區域的導電型與所述電荷積蓄區域的導電型相反；以及

低濃度雜質區域，被形成在所述電荷積蓄區域的表面中的、所述高濃度雜質區域與所述表面雜質區域之間，且所述低濃度雜質區域的導電型與所述電荷積蓄區域的導電型相同或相反；

所述接觸插塞含有硅或鍺。

2.如權利要求1所述的固體攝像裝置，

決定所述低濃度雜質區域的導電型的雜質的濃度，比決定所述高濃度雜質區域的導電型的雜質的濃度以及決定所述表面雜質區域的導電型的雜質的濃度低。

3.如權利要求2所述的固體攝像裝置，

決定所述低濃度雜質區域的導電型的雜質的濃度，比決定所述電荷積蓄區域的導電型的雜質的濃度高。

4.如權利要求1所述的固體攝像裝置，

所述信號電荷的極性，與決定所述電荷積蓄區域的導電型的多數載流子的極性相反。

5.如權利要求1所述的固體攝像裝置，

所述固體攝像裝置還具備：

由絕緣體構成的元件分離區域，被形成在所述半導體襯底，且將所述電荷積蓄區域、與所述放大晶體管被形成的晶體管區域以及相鄰的像素的所述電荷積蓄區域分離；以及

元件分離雜質區域，被形成在所述半導體襯底的所述元件分離區域與所述電荷積蓄區域之間，且所述元件分離雜質區域的導電型與所述電荷積蓄區域的導電型相反，

所述元件分離雜質區域的雜質濃度比所述電荷積蓄區域的雜質濃度高。

6.如權利要求5所述的固體攝像裝置，

所述表面雜質區域與所述元件分離雜質區域電連接。

7.如權利要求1所述的固體攝像裝置，

所述固體攝像裝置還具備：

柵極氧化膜，與所述電荷積蓄區域的表面的一部分接觸；以及

絕緣性的側壁，與所述柵極氧化膜的表面以及所述接觸插塞的側面接觸。

8.如權利要求7所述的固體攝像裝置，

在形成所述低濃度雜質區域后，形成所述側壁，然后，所述高濃度雜質區域通過自對準而形成。