[發明專利]用于形成電極的組合物在審
| 申請號: | 201280055698.6 | 申請日: | 2012-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN103931026A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | P.科喬卡魯;R.皮伊里;M.阿波斯托洛 | 申請(專利權)人: | 索爾維特殊聚合物意大利有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M4/485 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐厚才;林森 |
| 地址: | 意大*** | 國省代碼: | 意大利;IT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 電極 組合 | ||
1.一種含水的用于形成電極的組合物,該組合物包括:至少一種氟聚合物[聚合物(F)];
至少一種粉狀活性電極材料的顆粒[顆粒(P)],所述顆粒(P)包括活性電極化合物[化合物(E)]的芯以及不同于鋰的金屬化合物[化合物(M)]的外層,所述外層至少部分地包圍所述芯;以及
水。
2.如權利要求1所述的含水的用于形成電極的組合物,其中聚合物(F)是偏二氟乙烯(VDF)聚合物,該偏二氟乙烯聚合物包括:(a’)至少按摩爾計50%,優選至少按摩爾計70%,更優選至少按摩爾計80%的衍生自偏二氟乙烯(VDF)的重復單元;
(b’)任選地按摩爾計自0.1%至20%,優選自0.1%至15%,更優選自0.1%至10%的不同于VDF的氟化單體;所述氟化單體優選地選自由以下各項組成的組:氟乙烯(VF1)、三氟氯乙烯(CTFE)、六氟丙烯(HFP)、四氟乙烯(TFE)、全氟甲基乙烯基醚(MVE)、三氟乙烯(TrFE)以及由它們形成的混合物;以及
(c’)任選地,基于單體(a’)和(b’)的總量,按摩爾計自0.1%至10%,優選按摩爾計自0.1%至5%,更優選按摩爾計自0.1%至3%的一種或多種氫化單體。
3.如權利要求2所述的含水的用于形成電極的組合物,其中聚合物(F)是VDF聚合物,該聚合物包括衍生自偏二氟乙烯(VDF)及衍生自至少一種具有以下化學式(I)的(甲基)丙烯酸類單體(MA)的重復單元:
其中:
R1、R2及R3彼此相同或不同,獨立地選自氫原子和C1-C3烴基,并且
-ROH是氫原子或包括至少一個羥基的C1-C5烴基團。
4.如以上權利要求中任一項所述的含水的用于形成電極的組合物,其中該化合物(E)是選自由活性陰極化合物[化合物(E+)]組成的組。
5.如權利要求4所述的含水的用于形成電極的組合物,其中該化合物(E+)是選自由以下各項組成的組:
由通式LiMY2代表的復合金屬硫屬元素化物,其中M表示一種或超過一種過渡金屬,包括Co、Ni、Fe、Mn、Cr及V;并且Y表示硫屬元素,包括O及S;
具有標稱化學式AB(XO4)fE1-f的基于鋰化或部分鋰化過渡金屬氧陰離子的電極材料,在該式中A是鋰,其可部分地由少于A金屬的20%的另一種堿金屬代替,B是氧化水平為+2的主氧化還原過渡金屬,該過渡金屬選自Fe、Mn、Ni或其混合物,該過渡金屬可部分地由氧化水平介于+1與+5的一種或多種額外金屬代替,且該一種或多種額外金屬少于該主+2氧化還原金屬的35%,包括0,XO4是任何氧陰離子,其中X是P、S、V、Si、Nb、Mo或其組合,E是氟離子、氫氧根或氯離子陰離子,f是XO4氧陰離子的摩爾分數,其為0.75-1。
6.如權利要求5所述的含水的用于形成電極的組合物,其中該化合物(E+)選自由以下各項組成的組:LiCoO2、LiNiO2、LiMnO2LiNixCo1-xO2(0<x<1)、LixCo1-yAlyO2(0<x<1,0<y<1)、LiMn2O4、LiFePO4及Li(FexMn1-x)PO4(0<x<1)。
7.如以上權利要求中任一項所述的含水的用于形成電極的組合物,其中該化合物(M)包括Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga中的至少一種。
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