[發(fā)明專利]氟基光學(xué)薄膜的離子束沉積無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280055562.5 | 申請日: | 2012-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN103930593A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 大出愛子;賈森·喬治;萊昂納德·J·馬奧尼 | 申請(專利權(quán))人: | 威科儀器有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/46 | 分類號: | C23C14/46;C23C14/06 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;張英 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué)薄膜 離子束 沉積 | ||
1.一種方法,包括:
在解離的氟以及氫和氧至少之一存在下將離子束濺射的金屬-氟化物涂層沉積于基材上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述解離的氟和所述氫和氧至少之一輔助所述沉積操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進一步包括:
使用離子束將來自靶的金屬-氟化物材料濺射到所述基材上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述靶由金屬合金和金屬-氟化物二者之一或二者制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述解離的氟和所述氫和氧至少之一輔助所述濺射操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求所1述的方法,進一步包括:
將所述解離的氟以及所述氫和氧至少之一注射到其中發(fā)生所述沉積操作的外殼中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在所述沉積操作期間所述解離的氟變成所述金屬-氟化物涂層的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中在所述沉積操作期間所述解離的氟與所述基材和所述靶二者之一或二者發(fā)生反應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述氫和氧二者之一或二者是解離的、氣態(tài)的以及水蒸氣形式的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中進一步使用與所述解離的氟以及所述氫和氧至少之一結(jié)合的Ar、Ne、He、Kr和Xe中的一種或多種實施所述注射操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述解離的氟與所述氫反應(yīng)從而生成氟化氫而所述氟化氫至少部分被所述沉積操作消耗。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,進一步包括:
排出至少部分未被所述沉積操作消耗的氟化氫。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述金屬-氟化物涂層是光學(xué)涂層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述金屬-氟化物涂層導(dǎo)致表面粗糙度增加小于RMS。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述金屬-氟化物涂層包含按體積計0.1%~20%的氧含量。
16.一種在解離的氟以及氫和氧至少之一存在下濺射到基材上的金屬-氟化物涂層離子束,其中所述離子金屬-氟化物涂層具有小于RMS的表面粗糙度增加。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氟化物涂層,其中所述解離的氟變成所述金屬-氟化物涂層的部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氟化物涂層,其中所述氫和氧二者之一或二者是解離的、氣態(tài)和水蒸氣形式的一種或多種。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氟化物涂層,其中所述金屬-氟化物涂層是光學(xué)涂層。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氟化物涂層,其中所述金屬-氟化物涂層包含按體積計0.1%~20%的氧含量。
21.一種離子束濺射系統(tǒng),包含:
過程氣體源,其將解離的氟以及氧和氫至少之一注入外殼中;和
所述外殼內(nèi)的基材,其接收濺射的金屬-氟化物涂層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的離子束濺射系統(tǒng),進一步包括:
靶,由其通過離子束濺射金屬-氟化物材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的離子束濺射系統(tǒng),進一步包括:
離子源,其產(chǎn)生指向所述靶的離子束。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的離子束濺射系統(tǒng),其中所述靶由金屬合金和金屬-氟化物二者之一或二者制成。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的離子束濺射系統(tǒng),其中所述解離的氟變成所述金屬-氟化物涂層的部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的離子束濺射系統(tǒng),其中所述解離的氟與所述基材和所述靶二者之一或二者發(fā)生反應(yīng)。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的離子束濺射系統(tǒng),其中所述氫和氧二者之一或二者是解離的、氣態(tài)和水蒸氣形式的一種或多種。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





