[發(fā)明專利]一種測試具有浮動?xùn)艠O的非易失性存儲器單元的數(shù)據(jù)保持的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280055415.8
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103988281A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·馬科夫;J·尤;S·班薩爾;A·科托夫
• 申請（專利權(quán)）人: 硅存儲技術(shù)公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬麗娜;胡莉莉

1.一種測試非易失性存儲器單元的方法，該存儲器單元具有用于在其上存儲電荷的浮動?xùn)艠O，其中所述方法用于如果存儲器單元具有依賴于該浮動?xùn)艠O的電壓的絕對值的來自該浮動?xùn)艠O的漏電流就測試該存儲器單元，其中所述單元的特征在于在正常操作期間施加的第一擦除電壓、第一編程電壓與第一讀取電壓，以及在正常操作期間檢測到的擦除的存儲器單元的第一讀取電流，其中所述方法包括：

施加大于該第一擦除電壓的電壓來過度擦除該浮動?xùn)艠O；

使包括該浮動?xùn)艠O的該存儲器單元經(jīng)受單一高溫烘烤；以及

通過施加低于該第一讀取電壓的讀取電壓來測試該浮動?xùn)艠O的數(shù)據(jù)保持。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元的特征在于：

第一導(dǎo)電類型的并且具有頂表面的單晶襯底；

在所述襯底中沿著該頂表面的第二導(dǎo)電類型的第一區(qū)域；

第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，其在所述襯底中沿著該頂表面，與該第一區(qū)域間隔開；

在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

位于該溝道區(qū)域的第一部分之上的字線柵極，其通過第一絕緣層與該溝道區(qū)域間隔開；

位于該溝道區(qū)域的另一部分之上的浮動?xùn)艠O，其與該字線柵極相鄰且分開，其中該浮動?xùn)艠O通過第二絕緣層與該溝道區(qū)域分開；

位于該浮動?xùn)艠O之上并通過第三絕緣層與其絕緣的耦合柵極；以及

擦除柵極，其被定位成與該浮動?xùn)艠O相鄰且在與該字線柵極相對的側(cè)；所述擦除柵極位于該第二區(qū)域之上并且與其絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中如果在所述經(jīng)受步驟之后該存儲器單元的讀取電流低于讀取參考電流，則所述測試步驟確定該存儲器單元是有缺陷的。

4.一種測試非易失性存儲器單元的方法，該存儲器單元具有用于在其上存儲電荷的浮動?xùn)艠O，其中所述方法用于如果存儲器單元具有依賴于該浮動?xùn)艠O的電壓的絕對值的來自該浮動?xùn)艠O的漏電流則測試該存儲器單元，其中所述單元的特征在于在正常操作期間施加的第一擦除電壓、第一編程電壓和第一讀取電壓，以及在正常操作期間檢測的編程的存儲器單元的第一讀取電流，其中所述方法包括：

施加大于該第一編程電壓的電壓來將該浮動?xùn)艠O過度編程；

使包括該浮動?xùn)艠O的該存儲器單元經(jīng)受單一高溫烘烤；以及

通過施加大于該第一讀取電壓的讀取電壓來測試該浮動?xùn)艠O的數(shù)據(jù)保持。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述存儲器單元的特征在于：

第一導(dǎo)電類型并且具有頂表面的單晶襯底；

在沿著該頂表面的所述襯底中的第二導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，

第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，其在所述襯底中沿著所述頂表面，與該第一區(qū)域間隔開；

在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

位于該溝道區(qū)域的第一部分之上的字線柵極，其通過第一絕緣層與該溝道區(qū)域間隔開；

位于該溝道區(qū)域的另一部分之上的浮動?xùn)艠O，其與該字線柵極相鄰且分開，其中該浮動?xùn)艠O通過第二絕緣層與該溝道區(qū)域分開；

位于該浮動?xùn)艠O之上并且通過第三絕緣層與其絕緣的耦合柵極；以及

擦除柵極，其被定位成與該浮動?xùn)艠O相鄰且在與該字線柵極相對的側(cè)；所述擦除柵極位于該第二區(qū)域之上并且與其絕緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中如果在所述經(jīng)受步驟之后該存儲器單元的讀取電流高于讀取參考電流，則所述測試步驟確定該存儲器單元是有缺陷的。