[發(fā)明專(zhuān)利]MEMS傳感器封裝及其方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280055218.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103958393A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 韓龍熙;金衡原;安美淑 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社優(yōu)利電子 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00;B81B7/02;G01P15/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 傳感器 封裝 及其 方法 | ||
1.一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傳感器封裝，包括：
第一晶片，其上形成有讀出集成電路(ROIC)；
第二晶片，其對(duì)應(yīng)于所述第一晶片設(shè)置并在其一側(cè)上具有凹部以及在所述凹部上制備的MEMS傳感器；
連結(jié)焊料，其沿MEMS傳感器周?chē)纬刹⑼ㄟ^(guò)連結(jié)所述第一和第二晶片而密封所述MEMS傳感器；以及
盤(pán)焊料，其形成為電連接所述第一晶片的ROIC電路和所述第二晶片的MEMS傳感器。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述第一晶片包括：
襯底；
形成在所述襯底上的ROIC電路的電極盤(pán)；
形成以露出所述電極盤(pán)的絕緣層；
填充穿透所述襯底的通孔并電連接至所述電極盤(pán)的填充物金屬；以及
形成在所述絕緣層上的吸氣劑。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述吸氣劑包括從下組中選取的一種或多種：Ba,Ca,Mg,Ti,V,Zr,Nb,Mo,Ta,Th和Ce，或者從下組的金屬合金中選取的一種或多種：Ba-Al,Zr-Al,Ag-Ti,和Zr-Ni。
4.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述第二晶片包括：
具有通過(guò)形成在其一側(cè)上的凹部形成的空間的襯底；
在所述襯底上以預(yù)定圖案形成的潤(rùn)濕層；以及
MEMS傳感器，其連接至所述潤(rùn)濕層并與一位置具有預(yù)定間隔地獨(dú)立設(shè)置，所述位置對(duì)應(yīng)于形成所述凹部的位置。
5.如權(quán)利要求4所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述潤(rùn)濕層形成為擬連接至所述MEMS傳感器的兩個(gè)電極的盤(pán)圖案，并形成為沿所述MEMS傳感器周?chē)沫h(huán)型圖案。
6.如權(quán)利要求4所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述MEMS傳感器被制備成隔膜結(jié)構(gòu)或梳狀結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求4所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述MEMS傳感器包括紅外檢測(cè)器件。
8.如權(quán)利要求7所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述紅外檢測(cè)器件包括選擇地透射8-12μm的波長(zhǎng)的紅外光的濾光器單元。
9.如權(quán)利要求7所述的MEMS傳感器封裝，其特征在于，所述紅外檢測(cè)器件包括微型熱輻射儀。
10.一種MEMS傳感器封裝方法，包括：
去除絕緣層的預(yù)定部分以使其上形成ROIC電路的第一晶片的電極盤(pán)露出；
在所述電極盤(pán)被露出的預(yù)定部分形成盤(pán)焊料并沿MEMS傳感器周?chē)纬森h(huán)型連結(jié)焊料；
在其上形成所述盤(pán)焊料和所述連結(jié)焊料的第一晶片上形成吸氣劑；以及
將其上形成MEMS傳感器的第二晶片連結(jié)到其上形成吸氣劑的第一晶片上。
11.如權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述連結(jié)焊料和所述盤(pán)焊料由金屬材料形成。
12.如權(quán)利要求11所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述連結(jié)焊料和所述盤(pán)焊料是通過(guò)使用物理濺射、熱沉積工藝或化學(xué)鍍工藝中的任意一種來(lái)形成的。
13.如權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述連結(jié)是通過(guò)使用熱壓(TC)鍵合或共晶鍵合中的任何一種將所述第一和第二晶片連結(jié)。
14.如權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述吸氣劑由包括從下組中選取的一種或多種的材料形成：Ba,Ca,Mg,Ti,V,Zr,Nb,Mo,Ta,Th和Ce，或者從下組的金屬合金中選取的一種或多種的材料形成：Ba-Al,Zr-Al,Ag-Ti和Zr-Ni。
15.如權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述第二晶片包括：襯底上盤(pán)型圖案的潤(rùn)濕層，所述潤(rùn)濕層電連接至所述MEMS傳感器的兩個(gè)側(cè)電極；以及沿MEMS傳感器周?chē)沫h(huán)型圖案的潤(rùn)濕層，所述連結(jié)焊料相應(yīng)地連結(jié)至所述環(huán)型圖案潤(rùn)濕層并且所述盤(pán)焊料相應(yīng)地連結(jié)至盤(pán)型圖案潤(rùn)濕層。
16.如權(quán)利要求10所述的MEMS傳感器封裝方法，其特征在于，所述MEMS傳感器通過(guò)所述盤(pán)焊料電連接至所述ROIC。
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