[發明專利]組合物、由其制造的多層片材以及用于制造和使用該多層片材的方法有效
| 申請號: | 201280054991.0 | 申請日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN103931001A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 周儉;安德里斯·雅格布斯·彼得魯斯·范茨爾;萬迪塔·派帕朗亞佩;格倫·羅伯特·特賴森;馬修·弗蘭克·尼梅依爾 | 申請(專利權)人: | 沙特基礎創新塑料IP私人有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;B32B27/36;B32B27/08;C08L69/00 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;張英 |
| 地址: | 荷蘭貝爾根*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組合 制造 多層 以及 用于 使用 方法 | ||
1.一種光伏模塊,包括:
透明覆板;
背板,其中,所述背板包括含有由第一聚碳酸酯和第二聚碳酸酯形成的核心組合物的核心層,所述第一聚碳酸酯包含二甲基雙酚環己烷碳酸酯重復單元和雙酚A,其中所述第一聚碳酸酯具有結構
其中,基于所述核心組合物中的所述總重復單元,所述二甲基雙酚環己烷碳酸酯重復單元以10wt.%至50wt.%的量存在;并且
所述第二聚碳酸酯選自由以下組成的組:雙酚A聚碳酸酯均聚物、聚鄰苯二甲酸酯碳酸酯共聚物、包含2-苯基-3,3-雙(4-羥基苯基)苯并吡咯酮碳酸酯和雙酚A碳酸酯重復單元的聚碳酸酯共聚物、包含雙酚A碳酸酯和四溴雙酚A碳酸酯重復單元的聚碳酸酯共聚物以及包含上述中的至少一種的組合;以及
光伏電池,在所述覆板和所述背板之間。
2.根據權利要求1所述的光伏模塊,進一步包括設置在所述核心層的表面上的第一蓋層,其中,所述第一蓋層包含聚碳酸酯和UV光吸收穩定劑。
3.根據權利要求1-2中任一項所述的光伏模塊,其中,所述第一蓋層包含間苯二酚聚芳酯碳酸酯共聚物。
4.根據權利要求2-3中任一項所述的光伏模塊,進一步包括第二蓋層,其中,所述核心層設置在所述第一蓋層和所述第二蓋層之間,其中,所述第二蓋層包括選自由以下組成的組中的成員:聚碳酸酯、具有2wt.%至10wt.%的醋酸乙烯酯含量的乙烯醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、環烯烴共聚物以及包含前述中的至少一種的組合。
5.根據權利要求4所述的光伏模塊,其中,所述第二蓋層包含環烯烴聚合物,并且其中,在所述第二蓋層和所述核心層之間設置粘合劑層。
6.一種多層片材,包括:
核心層,由核心組合物形成,核心組合物包含:
第一聚碳酸酯,包含二甲基雙酚環己烷碳酸酯重復單元和雙酚A重復單元,其中,所述第一聚碳酸酯具有結構
其中,基于所述核心組合物中的所述總重復單元,所述二甲基雙酚環己烷碳酸酯重復單元以10wt.%至50wt.%的量存在;
第二聚碳酸酯,包含具有結構
的聚鄰苯二甲酸酯碳酸酯共聚物;和
第三聚碳酸酯,包含雙酚A聚碳酸酯均聚物;以及
第一蓋層,設置在所述核心層的表面上。
7.根據權利要求6所述的多層片材,其中,基于所述組合物的100wt.%的總重量,所述第二聚碳酸酯以20wt.%至50wt.%的量存在,并且所述第三聚碳酸酯以10wt.%至50wt.%的量存在。
8.根據權利要求7所述的多層片材,其中,基于所述組合物的100wt.%的總重量,第二聚碳酸酯以40wt.%至50wt.%的量存在,并且所述第三聚碳酸酯以10wt.%至25wt.%的量存在。
9.根據權利要求6-8中任一項所述的多層片材,其中,在150℃熱處理30分鐘之后,沿著機器方向和橫向熱收縮率小于1%。
10.根據權利要求6-9中任一項所述的多層片材,其中,以121℃的溫度、1.2巴的飽和水蒸汽壓力以及100%的相對濕度的高壓鍋測試72小時之后,所述片材具有大于或等于30%的抗穿刺性保留。
11.根據權利要求6-10中任一項所述的多層片材,其中,所述第一蓋層包括選自由以下組成的組中的成員:聚碳酸酯和UV光吸收穩定劑、間苯二酚聚芳酯碳酸酯共聚物以及包含前述中的至少一種的組合。
12.根據權利要求6-11中任一項所述的多層片材,進一步包括第二蓋層,其中,所述核心層設置在所述第一蓋層和所述第二蓋層之間,其中,所述第二蓋層包括選自由以下組成的組中的材料:雙酚A聚碳酸酯、聚碳酸酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯以及包含前述中的至少一種的組合。
13.根據權利要求6-12中任一項所述的多層片材,其中,所述第一蓋層包含選自由以下組成的組中的氟聚合物:聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氯三氟乙烯、乙烯-氯三氟乙烯共聚物、四氟乙烯六氟丙烯偏氟乙烯以及包含前述中的至少一種的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





