[發明專利]用于穿過低K布線層來圖案化穿板通孔的低K介電保護分隔物

有效

• 申請號: 201280054946.5
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103918068B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發明（設計）人: V·拉馬錢德蘭;S·顧
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 亓云

1.一種方法，包括：

穿過低K值介電互連層來蝕刻通孔開口；

將保護層沉積在所述通孔開口中以及所述低K值介電互連層上；

從所述通孔開口的底部并從所述低K值介電互連層的水平表面蝕刻所述保護層的至少一部分，所述蝕刻在所述通孔開口的側壁上留下保護性側壁分隔物；

穿過所述通孔開口的底部并穿過半導體基板來蝕刻穿板通孔；以及

填充所述穿板通孔。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低K值介電互連層包括至少一個低K值金屬間介電(IMD)層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護層是由從包括以下各項的組中選擇的材料形成的：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有機膜。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述保護層的至少所述部分包括執行定向反應離子蝕刻(RIE)以從所述低K值介電互連層的水平部分移除所述保護層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述保護層包括在所述低K值介電互連層的頂表面上形成所述保護層。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，進一步包括使所述保護層回流以使得有機保護層覆蓋所述穿板通孔的側壁。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

將所述穿板通孔納入在半導體管芯內；以及

將所述半導體管芯集成到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、位置固定的數據單元、以及計算機。

8.一種半導體管芯，包括：

半導體基板；

所述半導體基板上的低K值介電互連層；

延伸穿過所述低K值介電互連層和所述半導體基板的至少一個穿板通孔；以及

所述至少一個穿板通孔與所述低K值介電互連層之間的保護性分隔物。

9.如權利要求8所述的半導體管芯，其特征在于，所述低K值介電互連層包括至少一個低K值金屬間介電(IMD)層。

10.如權利要求8所述的半導體管芯，其特征在于，所述保護性分隔物包括從包含以下各項的組中選擇的材料：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有機膜。

11.如權利要求8所述的半導體管芯，其特征在于，所述保護性分隔物在所述低K值介電互連層的水平部分上。

12.如權利要求8所述的半導體管芯，其特征在于，進一步包括：

所述半導體基板內的淺溝槽隔離(STI)區；以及

所述半導體基板的表面以及所述(STI)區上的層間介電(ILD)層，所述低K值介電互連層置于所述ILD層的頂表面上。

13.如權利要求8所述的半導體管芯，其特征在于，所述半導體管芯被納入到以下至少一者中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、位置固定的數據單元、以及計算機。

14.一種半導體管芯，包括：

半導體基板；

所述半導體基板上的低K值介電互連層；

延伸穿過所述低K值介電互連層和所述半導體基板的至少一個通孔；以及

置于所述至少一個通孔與所述低K值介電互連層之間的用于保護所述低K值介電互連層的裝置。

15.如權利要求14所述的半導體管芯，其特征在于，所述低K值介電互連層包括至少一個低K值金屬間介電(IMD)層。

16.如權利要求14所述的半導體管芯，其特征在于，所述用于保護所述低K值介電互連層的裝置包括從包含以下各項的組中選擇的材料：未氟化的石英玻璃(USG)、硅酸四乙酯(TEOS)、二氧化硅、以及有機膜。

17.如權利要求14所述的半導體管芯，其特征在于，所述用于保護所述低K值介電互連層的裝置被形成在所述低K值介電互連層的水平部分上。