[發明專利]用于制造半導體裝置的過程

在審

• 申請號: 201280054898.X
• 申請日: 2012-09-10
• 公開（公告）號: CN104094404A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: R.伊斯哈拉;M.范登茲旺
• 申請（專利權）人: 代爾夫特科技大學
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;胡莉莉

1.一種用于制造薄膜裝置的至少一部分的方法，所述方法包括：

在基底中形成一個或多個凹痕，優選地，基底是塑料基底，凹痕包括側壁和底部；

利用第一油墨填充所述一個或多個凹痕中的至少一個，所述第一油墨包括第一材料前體，優選地，所述第一油墨包括第一金屬前體、半導體前體或金屬氧化物前體；以及

將所述第一油墨的至少一部分退火，從而凹痕里面的所述底部的表面被去濕，并且形成凹痕里面的第一材料的縮窄第一結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述側壁被配置為與所述底部的所述表面相比對于所述油墨具有更低的親和力；或者，其中所述底部的所述表面被配置為與所述側壁相比對于所述油墨具有更低的親和力。

3.根據權利要求2所述的方法，其中通過側壁和底部的材料的選擇來控制對所述油墨的所述親和力；和/或其中通過所述側壁和所述底部的表面處理來控制對所述油墨的所述親和力，優選地，通過所述側壁和所述底部的等離子體處理來控制對所述油墨的所述親和力；和/或其中通過將預定表面活性劑和/或溶劑添加到油墨以改變其潤濕性質來控制對所述油墨的所述親和力；和/或其中通過利用UV輻射照射所述油墨來控制對所述油墨的所述親和力。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中所述退火包括：

通過將所述油墨暴露于微波來將所述油墨中的所述材料前體變換為無機材料，優選地，變換為非晶半導體材料，優選地，從100 W和10 kW之間的范圍選擇微波功率，微波頻率處于300 MHz和300 Ghz之間的范圍內；和/或通過使所述油墨經受熱退火步驟來將所述油墨中的所述材料前體變換為無機材料，其中所述油墨暴露于50和350℃之間的范圍內的溫度。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述退火包括：

將所述無機固態材料暴露于激光，優選地暴露于脈沖激光，以便將所述無機材料的至少一部分變換為晶體材料，優選地變換為晶體半導體材料。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中所述材料前體可包括半導體前體，半導體前體包括由通式Si_nX_m表示的一種或多種硅烷化合物，其中X是氫；n優選地是5或更大的整數并且更優選地是在5和20之間的整數；m優選地是n、2n-2、2n或2n+1的整數。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述退火可包括：

將所述一個或多個凹痕中的所述油墨暴露于UV輻射達預定時間，從而所述凹痕內的所述底部表面的至少一部分被去濕。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其中所述一個或多個凹痕的高度在10 nm和5000 nm之間，優選地，在20 nm和2000 nm之間，更優選地，在40 nm和1000 nm之間；和/或其中所述一個或多個凹痕具有在40 nm和5000 nm之間的寬度，優選地，該寬度在80 nm和2000 nm之間，更優選地，在100 nm和1000 nm之間。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的方法，其中在所述將所述第一油墨的至少一部分退火期間，所述第一材料前體積聚在凹痕的底表面的邊緣以形成第一結構(絲)，同時所述凹痕中的底部表面的中心部分被去濕，所述方法還包括：

將所述第一結構(絲)變換為固態材料，優選地變換為晶體材料。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述基底和包括所述第一結構的所述凹痕中的至少一個上方涂敷第二油墨，所述第二油墨包括第二材料前體，優選地，所述第二油墨包括第二金屬前體、半導體前體或金屬氧化物前體；

通過將所述第二材料前體變換為固態第二材料，優選地變換為晶體半導體材料，在所述凹痕上形成交錯第一薄膜。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：

在所述交錯第一薄膜上方形成氧化物層；

利用第三油墨填充包括所述第一結構和所述交錯第一薄膜的至少一部分的所述凹痕，所述第三油墨包括第三材料前體，優選地，所述第三油墨包括第三金屬前體、半導體前體或金屬氧化物前體；

將所述第三油墨的至少一部分退火，從而在凹痕里面形成包括第三材料前體的第二結構。