[發明專利]廢氣后處理系統、用于所述系統的催化劑及其制備方法

有效

• 申請號: 201280054796.8
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103958033A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: A·辛希克拉;T·阿姆布羅斯尼;N·魯索;D·芬諾
• 申請（專利權）人: 皮雷利&C.環境有限責任公司
• 主分類號: B01D53/86
• 分類號: B01D53/86;B01D53/94;B01J23/34;B01J37/02;B01J37/08;B01J35/00;B01J35/04;B01J35/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王長青

1.廢氣后處理系統，它包括至少一個氧化設備，所述氧化設備包括由基質制成且配備有多個氣體通道的主體，所述氣體通道限定在主體內和由基質壁界定，所述基質壁用催化有效量的主要由Mn₂O₃組成的催化劑涂覆，所述催化劑具有：

i)新鮮時的表面積大于或等于10m²/g，和

ii)老化后的表面積小于新鮮催化劑的表面積且大于或等于2m²/g，所述老化通過如下步驟實施：

-將2g新鮮催化劑放入靜態烘箱；

-以10℃/min的加熱速率將所述催化劑加熱至800℃的老化溫度；

-將所述催化劑在老化溫度下保持12小時；和

-在保持步驟結束時從烘箱中取出樣品。

2.權利要求1的后處理系統，其中新鮮催化劑的表面積為10-80m²/g，優選為14-68m²/g。

3.權利要求1或2的后處理系統，其中老化后催化劑的表面積為2-10m²/g，優選為2-7m²/g。

4.權利要求1-3任一項的后處理系統，其中所述氣體通道相對于廢氣流向在主體上游和下游通道兩端在主體的相對側開放。

5.權利要求1-3任一項的后處理系統，其中所述基質是多孔的，和其中所述氣體通道的上半段相對于廢氣流向在主體下游端封閉，和所述氣體通道的下半段補充所述上半段相對于廢氣流向在主體上游端封閉。

6.權利要求1-3任一項的后處理系統，其中所述氧化設備按順序包括：配備有多個氣體通道的第一主體，所述氣體通道相對于廢氣流向在主體上游和下游通道兩端在主體的相對側開放，和由多孔基質組成且配備有多個氣體通道的第二主體，其中所述氣體通道的上半段相對于廢氣流向在主體下游端封閉，和所述氣體通道的下半段補充所述上半段相對于廢氣流向在主體上游端封閉。

7.權利要求1-3任一項的后處理系統，所述系統按順序包括至少兩個氧化設備，其中第一氧化設備包括配備有多個氣體通道的主體，所述氣體通道相對于廢氣流向在主體上游和下游通道兩端在主體的相對側開放，和第二氧化設備包括由多孔基質組成且配備有多個氣體通道的主體，其中所述氣體通道的上半段相對于廢氣流向在主體下游端封閉，和所述氣體通道的下半段補充所述上半段相對于廢氣流向在主體上游端封閉。

8.權利要求1-7任一項的后處理系統，還包括通過應用液態或氣態還原劑選擇性催化還原(SCR)氮氧化物的設備。

9.將廢氣中存在的至少部分氣體污染物氧化為NO₂和/或CO₂和/或H₂O的方法，所述方法包括：

a)將所述廢氣物流引入氧化設備，所述氧化設備包括配備有多個氣體通道的主體，所述氣體通道相對于廢氣流向在主體上游和下游通道兩端在主體的相對側開放和由形成主體的基質的壁界定，所述基質壁用權利要求1-3任一項中所定義的催化劑涂覆；

b)使所述氣體物流與所述催化劑接觸以將至少部分氣體污染物氧化為NO₂和/或CO₂和/或H₂O；

c)由氧化設備排出NO₂和/或CO₂和/或H₂O含量增加的廢氣。

10.權利要求9的方法，其中所述廢氣由內燃機、燃燒柴油的鍋爐排出或者來自工業過程。

11.減少廢氣中存在的顆粒物質排放的方法，所述方法包括：

a)將所述廢氣物流引入用于脫除顆粒物質的氧化設備，所述氧化設備包括由多孔基質制成且配備有多個氣體通道的主體，所述氣體通道由形成主體的基質的氣體可滲透壁界定，其中所述氣體通道的上半段相對于廢氣流向在主體下游端封閉，和所述氣體通道的下半段補充所述上半段相對于廢氣流向在主體上游端封閉，和其中所述氣體可滲透壁用權利要求1-3任一項中所定義的催化劑涂覆；

b)使所述氣體物流流過氣體可滲透壁，以從氣體物流中基本上脫除顆粒物質和保持顆粒物質與催化劑接觸；

c)通過使所述催化劑達到大于或等于250℃的溫度而燃燒顆粒物質。