[發明專利]具有更均勻注入和更低光學損耗的改進的P接觸

有效

• 申請號: 201280054659.4
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103918092B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: J.E.伊普勒
• 申請（專利權）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/14
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李亞非;汪揚

1.一種發光器件，包括：

n層，

p層，

位于n層和p層之間的發光層，

電氣耦合到n層的n焊盤，n層和n焊盤之間的接觸是沿著n層的周界，

電氣耦合到p層的p焊盤，以及

p接觸，該p接觸電氣耦合在p焊盤與p層之間，p焊盤經由p接觸和部分反射保護層電氣耦合到p層，該部分反射保護層抑制p接觸材料的遷移并且填充毗鄰p接觸的區域，

p接觸配置成在p接觸的周界處在p接觸的至少一個電流抑制區域中抑制電流注入通過p層，并且所述至少一個電流抑制區域包括該p接觸的離子注入區域并且用于改進通過該發光層的電流注入的均勻性，并且

該電流抑制區域包括內弧形拐角，并且該p接觸包括外弧形拐角，該內弧形拐角的曲率半徑大于該外弧形拐角的曲率半徑。

2.如權利要求1所述的發光器件，其中該電流抑制區域對應于該p接觸的一區域，該區域在不存在該電流抑制區域的情況下提供最大電流注入。

3.如權利要求1所述的發光器件，其中該p接觸包括銀。

4.如權利要求1所述的發光器件，其中該電流抑制區域對應于該p接觸的最靠近n焊盤和n層之間的接觸區域的區域。

5.一種用于形成發光器件的方法，包括：

形成發光元件，其包括n層和p層之間的發光層；

將p接觸耦合到p層從而提供從該p接觸到該p層的不均勻電流流動；

將p焊盤耦合到p接觸以促進耦合到外部電源；

經由p接觸和部分反射保護層將p焊盤耦合到p層，該部分反射保護層抑制p接觸材料的遷移，該部分反射保護層填充毗鄰p接觸的區域；

將n焊盤耦合到n層以促進耦合到外部電源，n層和n焊盤之間的接觸是沿著n層的周界；以及

在p接觸的周界處形成該p接觸的至少一個電流抑制區域；

其中該電流抑制區域包括內弧形拐角，并且該p接觸包括外弧形拐角，該內弧形拐角的曲率半徑大于該外弧形拐角的曲率半徑。

6.如權利要求5所述的用于形成發光器件的方法，其中該p接觸包括銀。

7.如權利要求5所述的用于形成發光器件的方法，還包括在p層中植入離子以形成電流擬制區域。

8.如權利要求5所述的用于形成發光器件的方法，其中該電流抑制區域對應于該p接觸的最靠近n焊盤和n層之間的接觸區域的區域。

9.如權利要求5所述的用于形成發光器件的方法，其中p接觸的電流抑制區域用于改進通過該發光層的電流注入的均勻性。