[發明專利]用于制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201280054324.2
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN103918062A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 堀井拓
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/12;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

制備由碳化硅制成的襯底(10)；

在所述襯底(10)的表面(10A)上形成柵極絕緣膜(20)；

在所述柵極絕緣膜(20)上形成柵電極(30)；

在所述柵極絕緣膜(20)上形成層間絕緣膜(40)以便包圍所述柵電極(30)；

形成接觸孔(80)，所述接觸孔(80)延伸通過所述層間絕緣膜(40)以暴露所述襯底(10)的所述表面(10A)并且與所述柵電極(30)分離；

在所述接觸孔(80)的側壁表面(80A)上并且與所述接觸孔(80)的所述側壁表面(80A)接觸地形成第一金屬膜(51)，所述第一金屬膜(51)包含Ti和Si中的至少一種并且不包含Al；

在所述第一金屬膜(51)上并且與所述第一金屬膜(51)接觸地形成包含Ti、Al以及Si的第二金屬膜(52)；并且

通過加熱所述第一和第二金屬膜(51，52)形成包含Ti、Al以及Si的源電極(50)。

2.根據權利要求1所述的用于制造半導體器件的方法，其中，在形成所述第二金屬膜(52)的步驟中，所述第二金屬膜(52)被形成為與通過形成所述接觸孔(80)被暴露的所述襯底(10)的所述表面(10A)接觸。

3.根據權利要求1或2所述的用于制造半導體器件的方法，其中，在形成所述第二金屬膜(52)的步驟中，所述第二金屬膜(52)被形成為具有被依次堆疊的第一金屬層(52a)、第二金屬層(52b)以及第三金屬層(52_c)，所述第一金屬層(52_a)包含Ti，所述第二金屬層(52b)在所述第一金屬層(52_a)上并且與所述第一金屬層(52_a)接觸，并且包含Al，所述第三金屬層(52_c)在所述第二金屬層(52b)上并且與所述第二金屬層(52b)接觸，并且包含Si。

4.根據權利要求1或2所述的用于制造半導體器件的方法，其中，在形成所述第二金屬膜(52)的步驟中，所述第二金屬膜(52)被形成為包含被相互混合的Ti、Al以及Si。

5.根據權利要求1-4中的任何一項所述的用于制造半導體器件的方法，其中，在形成所述第一金屬膜(51)的步驟中，所述第一金屬膜(51)被形成為具有不小于0.1μm并且不大于1μm的厚度。

6.根據權利要求1-5中的任何一項所述的用于制造半導體器件的方法，其中，在形成所述第一金屬膜(51)的步驟中，所述第一金屬膜(51)被形成為包含Ti并且不包含Al。