[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201280054320.4
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103930996B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 增田健良
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底具有形成在所述襯底中的溝槽，并且所述襯底由碳化硅制成，所述溝槽在一個主表面側開口并且具有側壁表面；

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜與所述側壁表面接觸地形成在所述側壁表面上；以及

柵電極，所述柵電極與所述柵極絕緣膜接觸地形成在所述柵極絕緣膜上，

其中，所述襯底包括

具有第一導電類型的源極區，所述源極區被布置為在所述側壁表面處被暴露，以及

具有第二導電類型的體區，所述體區相對于所述源極區被布置在與所述一個主表面相反的位置上，所述體區與所述源極區接觸，并且在所述側壁表面處被暴露，并且

在所述側壁表面中的每個邊為100nm的正方形區域具有以RMS表示的不大于1.0nm的表面粗糙度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述側壁表面具有比所述主表面的表面粗糙度低的表面粗糙度。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中

所述溝槽還具有底壁表面，所述底壁表面被形成為與所述側壁表面相交，并且

所述側壁表面具有比所述底壁表面的表面粗糙度低的表面粗糙度。

4.根據權利要求1至3中的任何一項所述的半導體器件，其中，由所述側壁表面相對于構成所述襯底的碳化硅的{01-12}面形成的角小于由所述主表面相對于構成所述襯底的碳化硅的{0001}面形成的角。

5.根據權利要求1至4中的任何一項所述的半導體器件，其中，由所述主表面相對于構成所述襯底的碳化硅的{0001}面形成的角不大于8°。

6.根據權利要求1至5中的任何一項所述的半導體器件，其中，所述側壁表面與構成所述襯底的碳化硅的特定晶面對應。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述側壁表面與包括構成所述襯底的碳化硅的(0-33-8)面的(0-11-2)面對應。

8.根據權利要求6或7所述的半導體器件，其中，通過熱蝕刻形成所述側壁表面。